东芝BSI型CMOS传感器中文参数及适用范围
产品特性：
- 采用300mm晶圆生产
- 采用65nm的CMOS工艺
- 光学格式为1/2.3英寸，帧速率为60帧／秒
适用范围：
- 数码相机、支持视频的手机和数码摄像机
东芝将从2010年第三季度开始量产BSI（背面照射）型CMOS图像传感器。主要面向数码相机、支持视频的手机和数码摄像机。量产规模最初预定为50万个/月。BSI型CMOS传感器采用适合高灵敏度的制造技术，即使在特别暗的地方进行拍摄也能获得高画质图像。
东芝将从2009年底开始样品供货1.4μm间距的1460万像素产品。采用300mm晶圆生产，与竞争企业相比降低了制造成本。竞争企业一般采用200mm晶圆，东芝表示采用300mm晶圆在全球尚属首次。新产品将采用65nm的CMOS工艺。
在BSI型CMOS传感器中，可通过采用传感器上面没有布线层的结构来提高采光率。研磨形成传感器的硅底板，然后将镜头靠近传感器安装。此项工序采用了晶圆薄化和接合等大量面向MEMS使用的工艺技术。由于没有妨碍光线入射的布线层，因此可提高灵敏度。东芝表示，若是已宣布量产的1.4μm产品，则可将灵敏度提高约40％。另外，该元件的光学格式为1/2.3英寸，帧速率为60帧／秒（支持1080p以及720p）。
对于BSI型CMOS传感器，几乎所有的大型图像传感器厂商都已经或正在考虑采用。不过，CMOS传感器的制造工艺比较复杂，需要削减成本。此次东芝决定量产采用300mm晶圆的产品，将进一步加速低成本化竞争、加快BSI型CMOS传感器向手机的普及速度。
