巨磁阻传感器应用

目前磁性传感器在汽车领域应用中主要有霍尔效应，各项异性磁阻效应，巨磁阻效应以及穿遂磁阻效应。英飞凌是少数几个同时掌握磁性感应技术并应用于产品中的半导体公司之一。

磁性传感器广泛应用于现代汽车中，如速度检测，角度检测，位置检测，电流检测等。根据磁性感应原理，可分为霍尔原理及磁阻原理。其中磁阻式根据原理又可分为常磁阻效应（Ordinary Magneto Resistance， OMR）、各项异性磁阻效应（Anisotropic Magneto Resistance，AMR）、巨磁阻效应（Giant Magneto Resistance，GMR）、超巨磁阻效应（Colossal Magneto Resistance，CMR）、穿遂磁阻效应（Tunnel Magneto Resistance，TMR）、巨磁阻抗效应（Giant Magneto impedance，GMI）以及特异磁阻效应（Extraordinary Magneto Resistance，EMR）等。

目前磁性传感器在汽车领域应用中主要有霍尔效应，各项异性磁阻效应，巨磁阻效应以及穿遂磁阻效应。英飞凌是少数几个同时掌握有以上磁性感应技术并应用于产品中的半导体公司之一。

相比于霍尔效应和各项异性磁阻效应，巨磁阻效应具有更好的灵敏度，更小的噪声以及气隙表现，非常适合汽车领域中需要高精度以及较大工作气隙要求的应用。目前英飞凌巨磁阻系列传感器涵盖速度及角度应用

又称特大磁电阻，即GMR（Giant Magneto Resistance），GMR磁头是由4层导电材料和磁性材料薄膜构成的：一个传感层、一个非导电中介层、一个磁性的栓层和一个交换层。今天我们就来了解一下的应用领域。

巨磁阻传感器应用

01巨磁阻传感器应用于硬盘

巨磁阻效应的读出磁头，极大的提高了磁盘记录密度，极大提高了硬盘的容量，同时缩小了硬盘的体积。目前硬盘最大容量已经达到4TB，远远大于应用巨磁阻效应前的硬盘。

02巨磁电阻随机存取存储器（MRAM）

这是采用纳米制造技术，把沉积在基片上的SV-GMR薄膜或TMR薄膜制成图形阵列，形成存储单元，以相对两磁性层的平行磁化状态和反平行磁化 状态分别代表信息“1”和“0”;与半导体存储器一样，是用电检测由磁化状态变化产生的电阻值之差进行信息读出的一种新型磁存储器。MRAM潜在的重要优 点是非易失性，抗辐射能力强、寿命长。这些是DRAM、SRAM等半导体存储器所不具备的性能。同时，它又兼有后者具有的大容量、高速存取、低成本、高集 成度等特点。因此，MRAM不仅被军事和宇航业界所看重，而且在迅速普及的数码照相、移动电话及多媒体信息处理等广阔的民用市场中得到应用。正因为如此， 美、日、欧等发达国家和地区及高新技术产业界都十分重视这项新技术，正投巨资加快产品的商业化

03角度、位置传感器

用于数控机床，汽车测速，非接触开关，旋转编码器等领域。具有功耗小，可靠性高，体积小，价格便宜和更强的输出信号等优点。

04基于GMR传感器阵列的生物检测

GMR传感器比电子传感器更灵敏、可重复性强，具有更宽的工作温度、工作电压和抗机械冲击、震动的优异性能，而且GMR传感器的工作点也不会随 时间推移而发生偏移。GMR传感器的制备成本和检测成本低，对样本的需求量很小。由GRM传感器组成的阵列，还可以结合现有的IC工艺，提高整体设备的集 成度，进行多目标的检测，同时，对比传统的荧光检测法，磁性标记没有很强的环境噪声，标记本身不会逐渐消退，也不需要昂贵的光学扫描设备以及专业的操作人 员。

05巨磁阻传感器应用于军事领域

GMR传感器芯片在军事装备上也有广泛的应用，比如：超微磁场探测器，地磁场探测传感器，航天磁场方位传感器。