晶振的两种电阻作用：串联电阻与并联电阻
在电路中，晶振的电容一端接地，一端接晶振，另外还有两个电阻，一个是跨接在晶振两端，一个接在晶振的输出端，同芯片相连，旁接的电容称之为匹配电容，而它们的大小可以改变振荡电路的频率，这些通过试验就可以观察的到。电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶振并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶振的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率，但会影响脉宽比。
比如晶振电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻。
电路并联电阻连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻提供另外180度的相移，整个环路的相移呈360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，此时晶振才能正常工作。
晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动，晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，从而防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。
Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶振震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向。
