兆易创新：DRAM芯片自主研发项目正在研发进行中

　　7月24日，兆易创新在互动平台表示，公司DRAM芯片自主研发及产业化项目于2020年5月完成资金募集，现项目研发工作正在进行中。

　　据悉，2019年9月，兆易创新发布非公开发行股票预案，拟募集资金总额不超过人民币43亿元，用于DRAM芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金，以实现国内存储芯片设计企业在DRAM领域的突破。

　　兆易创新拟通过该项目研发1Xnm级(19nm、17nm)工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本项目的成功实施，有助于公司丰富自身产品线，有效整合产业资源，巩固并提高公司的市场地位和综合竞争力。

　　兆易创新认为，公司为一家芯片设计公司，主营业务为闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品、传感器模块的研发、技术支持和销售。本次发行募集资金将用于 DRAM 芯片研发及产业化项目及补充流动资金。本次非公开发行完成及募集资金投资项目实施完毕后，公司在存储器领域的产品结构将得到进一步丰富，在 NOR Flash、NAND Flash 基础上切入 DRAM 存储芯片。

　　同时，本次募集资金投资项目实施完毕后，将新增对DRAM产品的销售，扩大存储器产品的种类与规模，存储器业务板块的收入占比将提升，收入构成将更加丰富，并能大幅提高公司的可持续发展能力及后续发展空间，为公司经营业绩的进一步提升提供保证。