湖南长沙总投资160亿元的三安第三代半导体项目开工

　　7月20日，长沙三安第三代半导体项目开工活动在长沙高新区举行。当前，第三代半导体材料及器件已成为全球半导体材料产业的前沿和制高点之一。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体成熟商用材料，在新能源汽车、5G、智能电网、高速轨道交通、半导体照明、消费类电子、航天等领域具有重要的应用价值。

　　据了解，三安光电是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、集成电路龙头企业。长沙三安第三代半导体项目总投资160亿元，总占地面积1000亩，主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。项目建成达产后将形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。

　　根据此前的公告披露，三安光电拟在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

　　湖南湘江新区党工委书记郑建新表示，长沙三安第三代半导体项目作为长沙17个制造业标志性重点项目之一，将在长沙建设形成长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装的碳化硅全产业链，必将成为推动长沙新一代半导体及集成电路产业链发展的重大动力。