台积电3nm晶体管密度将提高15%

　　两年前，台积电量产了7nm工艺，今年将量产5nm工艺，这让台积电在晶圆代工领域保持着领先地位。现在3nm工艺也在按计划进行。根据台积电的规划，3nm风险试产预计将于今年进行，量产计划于2021年下半年开始。

　　早前，台积电将在3nm节点放弃FinFET晶体管工艺，转向GAA环绕栅晶体管。不过，根据近日台湾经济日报报道，台积电在2nm研发上取得重大突破，目前已找到路径，将切入全环栅场效应晶体管GAA。这意味着，台积电在3nm节点将继续使用FinFET工艺。

　　台积电还透露了3nm工艺的更多细节。与今年的5nm工艺相比，3nm工艺的晶体管密度提高了15%，性能提高了10-15%，能源效率也提高了20-25%。据悉，台积电将如期为苹果代工基于3nm工艺的A16芯片。