诺基亚贝尔实验室获第三届技术艾美奖，因发明并发展CCD图像传感器

　　美国国家电视艺术与科学研究院（NATAS）宣布诺基亚贝尔实验室以及迈克尔·汤普塞特（Michael Tompsett）为第71届年度技术与工程艾美奖的获奖者之一，以表彰其开拓性地发展电荷耦合器件（CCD）图像传感器的贡献。

　　CCD图像传感器是图像传感器的一种，其作用是将相机接收的光转换为电荷，并将其处理为电子信号以创建数字图像。CCD基于金属氧化物半导体（MOS）结构，而该结构本身是在Bell Labs发明的。

　　1969年，美国贝尔实验室的威拉德·博伊尔（Willard Sterling Boyle）和乔治·史密斯（George Elwood Smith）共同发明了CCD.当时贝尔实验室正在发展影像电话和半导体气泡式存储器，将这两种新技术结起来后，博伊尔和史密斯得出一种设备，他们命名为“电荷‘气泡’组件”（Charge "Bubble" Devices）。这种设备的特性就是它能沿着一片半导体的表面传递电荷，便尝试用来做为记忆设备，当时只能从寄存器用“注入”电荷的方式输入记忆。但随即发现光电效应能使此种组件表面产生电荷，而组成数字图像。

　　1971年，贝尔实验室的研究员已能用简单的线性设备捕捉影像，CCD就此诞生。有几家公司接续此一发明，着手进行进一步的研究，包括飞兆半导体、美国无线电公司和德州仪器。其中飞兆半导体的产品率先上市，于1974年发表500单元的线性设备和100x100像素的平面设备。

　　随着进一步的改进，CCD在许多领域得到应用——从彩色相机到医学成像再到天文学和望远镜，主要是在电视行业取代了传统的胶卷。但是，由于与CMOS（互补金属氧化物半导体）传感器相比，CCD具有明显的缺点，因此其在手机相机中的使用受到限制。

　　由于COVID-19大流行，NATAS将原定于2020年4月19日在美国拉斯维加斯举行的颁奖典礼推迟到另行通知。到那时，您可以看看诺基亚贝尔实验室*在发明CCD图像传感器方面获得的赞誉：

　　1999年-C＆C（计算机与通信）奖

　　2006年–德雷珀奖

　　2009年–诺贝尔奖（物理学）

　　2010年-（美国）国家技术创新奖章

　　2012年– IEEE爱迪生勋章

　　2017年– QEPrize（伊丽莎白女王工程奖）

　　2020年-技术与工程艾美奖

　　备注：贝尔实验室于2016年1月14日加入诺基亚。