三星电子拟投资8万亿韩元建NAND闪存生产线

　　6月2日消息，据国外媒体报道，三星电子日前表示，计划投资8万亿韩元（约合人民币466亿元）在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。

　　生产线建设上月已经开始，预计2021年下半年开始生产三星最先进的V-NAND产品。

　　三星电子表示，此次投资旨在应对随着人工智能、物联网等第四次工业革命，以及5G普及而来的NAND需求。

　　5月，三星电子还透露，已在平泽投资建设生产线，新产线专注于基于极紫外光刻（EUV）技术的5nm、及以下制程。新产线已开始建设，预计明年下半年开始量产5nm芯片。

　　三星电子表示，加上平泽生产线，韩国将拥有7条芯片制造产线。

　　三星电子去年4月曾提出“半导体愿景2030”，计划到2030年对系统芯片研发和生产技术领域投资133万亿韩元（约合人民币7658亿元）。