联电积极投入GaN制程，开发布局高效能电源功率元件市场

　　晶圆代工厂近来积极布局第三代半导体材料氮化镓(GaN)。

　　龙头厂台积电已提供6寸GaN-on-Si(矽基氮化镓)晶圆代工服务，世界先进GaN制程也预计年底送样，同样的，还有联电。联电积极投入GaN制程开发，携手子公司联颖布局高效能电源功率元件市场。

　　联电表示，GaN 制程开发是现有研发计划中的重点项目之一，目前与转投资公司砷化镓(GaAs) 晶圆代工厂联颖合作，仍处于研发阶段，初期将以6 寸晶圆代工服务为目标，未来也会考虑迈向8 寸代工。

　　联颖是联电持股81.58% 子公司，为其新投资事业群的一员，提供6 寸砷化镓晶圆代工服务，终端产品应用领域包括手机无线通讯、微波无线大型基地站、无线微型基地台、物联网、国防航太、光纤通讯、光学雷达，及3D 感测元件等。目前营运持续亏损，去年亏损2.79 亿元，今年首季则亏损861 万元。

　　目前包括台积电和汉磊投控集团的晶圆代工厂汉磊科，均已量产6寸GaN-on-Si晶圆代工制程。台积电今年2月还宣布结盟意法半导体，意法将采用台积电的GaN制程技术，生产氮化镓产品，加速先进功率氮化镓解决方案开发与上市，携手抢攻电动车市场商机。

　　而世界先进在GaN 材料上已投资研发4 年多，与设备材料厂Kyma、及转投资GaN 矽基板厂Qromis 携手合作，着眼开发可做到8 寸的新基底高功率氮化镓技术GaN-on- QST,今年底前将送样客户做产品验证，初期主要瞄准电源相关应用。