半导体领域再迎坏消息，继ASML光刻机受限后，又一关键材料将受限

　　据日本共同社报道，3月19日《瓦森纳协定》在欧美日国家内部通过，该协定主要的议题就是针对我国半导体行业量身定制扩大半导体技术出口管制范围。该组织曾在去年11月份限制了ASML对中芯国际的EUV光刻机的出口，并引发了外交部强烈的不满和抗议。此次扩大半导体出口管制范围，极有可能是针对日本对中国的半导体光刻机及光刻胶的出口限制。

　　在芯片制造中，包含光刻、薄膜、刻蚀、清洗、注入等十几道工艺，工序更是多达2000-5000道，但仅仅是光刻工艺就约占整个成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40-60%，因此，光刻工艺是半导体制造中最核心的工艺。而光刻工艺中最重要的耗材就是光刻胶。

　　光刻胶是一种具有光化学敏感性的功能性化学材料，是由光引发剂、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体。它能通过光化学反应改变自身在显影液中的溶解性，通过将光刻胶均匀涂布在硅片、玻璃和金属等不同的衬底上，利用它的光化学敏感性，通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上。光刻胶自1959年被发明以来，就一直与光刻机和光刻工艺紧密相关，是精细化工行业技术壁垒最高的材料，被誉为是电子化学产业的皇冠明珠。

　　如果说荷兰的ASML是行业的翘楚，那么日本的光刻机厂商就是行业的基石，全球IC光刻胶被日本JSR、TOK、富士电子材料、信越化学，以及美国DOW垄断。因此真正令人担忧的是光刻胶的出口限制，以日本JSR、东京应化、日本信越等日厂垄断了72%的市场份额，中国大陆所占市场份额不足10%，且仅应用于低端产品。

　　早在2005年，中国就已经立项光刻胶研究，但这些年始终未能取得重大突破。其原因在于光刻胶成产工艺复杂，且需要大笔的资金投入和长期的技术积累，这对于起步阶段的国内光刻胶产业来说实在是举步维艰。

　　据前瞻研究院的数据表明，伴随着全球半导体行业的快速发展，全球半导体光刻胶市场持续增长。2018年全球半导体光刻胶市场规模20.29亿美元，同比增长15.83%。其中，中国半导体光刻胶规模占全球比重最大，达到32%。

　　当前，面对一次又一次的封锁禁售，光刻机和光刻胶的国产化已势在必行。因此，尽快突破光刻机以及光刻胶已成为我国半导体行业迫在眉睫的大事。

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