ST收购氮化镓创企多数股权 以激发用户采用GaN功率产品

　　氮化镓(GaN)属于宽带隙(WBG)材料家族，其中包括碳化硅。GaN基器件是高频电力电子器件行业取得的一大进步，其能效和功率密度高于硅基晶体管， GaN基器件节能省电，缩减系统整体尺寸。

　　近日，横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST) 宣布，已经签署收购法国氮化镓（GaN）创新企业Exagan公司的多数股权的并购协议。Exagan的外延工艺、产品开发和应用经验将拓宽并推进意法半导体的汽车、工业和消费用功率GaN的开发规划和业务。Exagan将继续执行现有产品开发规划，意法半导体将为其部署产品提供支持。

　　双方的交易条款没有对外公布，等法国政府按照惯例成交法规批准后即可完成交易。现已签署的并购协议还规定，在多数股权收购交易完成24个月后，意法半导体有权收购剩余的Exagan少数股权。本交易将采用可用现金支付。

　　意法半导体公司总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示：“意法半导体的碳化硅发展势头强劲，现在我们正在扩大对另一种前景很好的复合材料--氮化镓的投入，以促进汽车、工业和消费市场客户采用GaN功率产品。收购Exagan的多数股权是我们加强公司在全球功率半导体市场的领先地位以及我们的GaN长远规划、生态系统和业务的又一项新举措，是对我们目前与CEA-Leti在法国图尔的开发项目以及最近宣布的与台积电的合作项目的补充。”

　　目前，GaN器件适合各种应用，例如，服务器、电信和工业用功率因数校正和DC/DC转换器；电动汽车车载充电器和车规DC-DC转换器，以及电源适配器等个人电子应用。

　　Exagan成立于2014年，总部位于法国格勒诺布尔。该公司致力于推进电力电子行业从硅基技术向GaN-on-silicon技术转变，研发体积更小、能效更高的功率转换器。Exagan的GaN功率开关是为标准200毫米晶圆设计。