英国科学家找到一种新式的“内存：超低能耗、写入不毁坏数据、非易失性

2020 年美光三星等企业会发布新一代的DDR5内存，最高速度达到 6400 Mbps，将逐渐替代DDR4 内存。

如今的DRAM内存技术还要更新，可是技术性短板也逐步显著，科学研究工作人员已经在找寻新的内存取代技术，英国就找到新方位——全新升级内存延迟可低至10 ns ，功耗仅为现在的1%。

很多年来大家一直在寻找极致的内存芯片，它既需要低延迟、高带宽 ，还要功耗低(不用经常更新)，另外还得容量大，低成本，更关键的是具有关闭电源不损害数据的功能，能够说成是NAND闪存及DRAM内存的完美体。

那么多需求，做起来可真的不容易，Intel的傲腾内存是根据PCM相变内存技术的，在可信度、延迟等难题上早已大幅度领跑如今的闪存，更贴近DRAM内存芯片了，但是跨越内存还达不上。

此前外国媒体报道称，英国的科学研究工作人员找到一种新式的“内存”，它应用的是III -V族原材料，主要是InAs砷化铟和AlSb锑化铝 ，用这种原材料做成的NVDRAM非易失性内存具有出色的功能，在一样的性能下电源开关能量足足低了100 倍，换句话说功耗只有目前DRAM内存的1%，另外延迟还可低至10 ns 。

总而言之，这类新材料做成的内存芯片具有三大特性——超低能耗、写入不毁坏数据、非易失性，其性能对比 如今的DRAM内存反而没多少提高，10 ns 级別的延迟跟DDR4内存类似，可是上边三条特性，特别是非易失性就足够让“内存”改革了。

但是也无法开心过早，英国产品研发工作人员如今仅仅找到新一代III -V原材料内存的基础理论方位，真正大规模性生产制造这类内存还是很困难的事，就好像传了好长时间的MRAM、PCM、RRAM芯片一样 。