多维科技发布三款双稳态TMR磁开关传感器

12月16日，专业从事隧道磁电阻（TMR）技术的磁性传感器的领先供应商多维科技有限公司（MDT），发布了三款双稳态TMR磁开关传感器TMR1212、TMR1213、TMR1215。它们是低功率双极锁存TMR开关传感器，无需电源即可检测并保持由磁极性触发的开/关状态。被动磁记忆效应非常适合电梯门中的液位开关、磁性翻转液位计、非接触式磁性旋钮以及许多需要在位置和速度测量中进行故障保护操作的工业应用。以上型号PINHUI已开始供应，在线客服可提供相应的指南。

在断电的情况下，TMR1212/TMR1213/TMR1215可以被动存储开/关状态，恢复供电后可以立即检索最新状态。它们设计用于在总激活模式下高速运行，功耗为1.5微安。他们的开关灵敏度额定为20至90高斯，以支持各种使用条件。

如果发生电源故障，TMR1212、TMR1213、TMR1215可以被动存储开/关状态，并且在恢复供电后可以立即检索最新状态。它们专为始终处于活动模式的高速操作而设计，具有1.5微安的低功耗，它们的开关灵敏度额定为20至90高斯，以支持各种使用条件。

多维技术董事长兼首席执行官、博士说宋须鹗，“在所有基于半导体的磁传感器技术中，包括霍尔效应、AMR（各向异性磁阻）、GMR（巨磁阻）和TMR，MDT的双稳态TMR开关传感器都是市场上首屈一指的产品。与需要一对磁铁来实现锁存功能的双稳态簧片开关相比，我们的双稳态TMR开关传感器采用标准SOT23或TO92封装，占地面积小，具有竞争力的成本效益和可靠性，并在低功耗高速工作模式沿被动操作的独特组合。由于我们强大的IP产品组合和先进的制造设施，我们能够为客户提供TMR技术的最佳价值，该技术结合了现有磁传感器技术的主要优势，同时克服了他们在稳步增长的TMR传感器产品系列中的局限性。”

MDT是业界第一个TMR传感器批量供应商。MDT的TMR传感器采用其专利的TMR技术和自有的制造设施设计和制造，具有许多独特的优点，包括低功耗、高灵敏度、低噪音和具有磁记忆效应的被动操作，它们是各种工业、汽车、消费者和医疗传感器应用的理想选择。

关于MDT

多维科技于2010年在中国江苏省张家港市成立，在中国北京、上海、成都、宁波、日本大阪、美国加州圣何塞设有分公司，以及最先进的制造能力，能够支持高性能、低成本TMR磁传感器的批量生产，以满足最苛刻的应用需求。MDT的核心管理团队由磁性传感器技术和工程服务领域的精英专家和资深人士组成，致力于为客户创造附加值，确保他们的成功。