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正确理解驱动电流与驱动速度


品慧电子讯本文主要阐述了在驱动芯片中表征驱动能力的关键参数:驱动电流和驱动时间的关系,并通过实验解释了如何正确理解这些参数在实际应用中的表现。


概述

驱动芯片


功率器件如MOSFET、IGBT需要驱动电路的配合从而得以正常地工作。图1显示了一个驱动芯片驱动一个功率MOSFET的电路。当M1开通,M2关掉的时候,电源VCC通过M1和Rg给Cgs,Cgd充电,从而使MOSFET开通,其充电简化电路见图2。当M1关断,M2开通的时候,Cgs通过Rg和M2放电,从而使MOSFET关断,其放电简化电路见图3。


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图 1. 功率器件驱动电路


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图 2. 开通时的简化电路及充电电流


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图 3. 关断时的简化电路及放电电流


驱动电路的驱动能力影响功率器件的开关速度,进而影响整个系统的效率、电磁干扰等性能。驱动能力太强会导致器件应力过高、电磁干扰严重等问题; 而驱动能力太弱会导致系统效率降低。因此,选择一个适当驱动能力的芯片来驱动功率器件就显得至关重要。


衡量驱动能力的主要指标


驱动电流和驱动速度


衡量一个驱动芯片驱动能力的指标主要有两项:驱动电流和驱动的上升、下降时间。这两项参数在一般驱动芯片规格书中都有标注。而在实际应用中,工程师往往只关注驱动电流而忽视上升、下降时间这一参数。事实上,驱动的上升、下降时间这个指标也同样重要,有时甚至比驱动电流这个指标还重要。因为驱动的上升、下降时间直接影响了功率器件的开通、关断速度。


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图 4. MOSFET开通时驱动电压和驱动电流


图4显示了一个MOSFET开通时门极驱动电压和驱动电流的简化时序图。t1到t2这段时间是门极驱动的源电流(IO+)从零开始到峰值电流的建立时间。在t3时刻,门极电压达到米勒平台,源电流开始给MOSFET的米勒电容充电。在t4时刻,米勒电容充电完成,源电流继续给MOSFET的输入电容充电,门极电压上升直到达到门极驱动的电源电压VCC。同时在t4到t5这个期间,源电流也从峰值电流降到零。


这里有一个很重要的阶段:t1到t2的源电流的建立时间。不同的驱动芯片有不同的电流建立时间,这一建立时间会影响驱动的速度。


测试对比


以下通过实测两款芯片SLM2184S和IR2184S的性能来说明驱动电流建立时间对驱动速度的影响。


表格1对比了SLM2184S和IR2184S的各项测试。虽然SLM2184S的峰值源电流[IO+]和峰值灌电流[IO-]比IR2184S的测试值偏小,但是SLM2184S的电流建立时间远比IR2184S的建立时间更短。


表格1:SLM2184S 和IR2184S驱动电流和驱动时间对比

18.png


因此,在负载电容(比如MOSFET的输入电容)较小的时候,SLM2184S的驱动速度并不比IR2184S的驱动速度慢。如在1nF的负载电容下,两者的驱动速度基本一致。只有当负载电容较大的时候,如在3.3nF的情况下,SLM2184S的驱动速度才会比IR2184S慢。


实测


SLM2184S vs IR2184S 驱动测试对比


? 图5~图16: 实测SLM2184S的驱动电流和驱动时间的波形。

? 图17~图28: 实测IR2184S的驱动电流和驱动时间的波形。


SLM2184S驱动测试


19.png

CH1: 驱动输入; CH2: 驱动输出; CH4: 驱动源电流

图5:SLM2184S的驱动源电流

负载电容100nF


20.png

CH1: 驱动输入; CH2: 驱动输出; CH4: 驱动源电流

图6:SLM2184S的驱动源电流上升速度

负载电容100nF


21.png

CH1: 驱动输入; CH2: 驱动输出; CH4: 驱动灌电流

图7:SLM2184S的驱动灌电流

负载电容100nF


22.png

CH1: 驱动输入; CH2: 驱动输出; CH4: 驱动灌电流

图8:SLM2184S的驱动灌电流上升速度

负载电容100nF


23.png

CH1: 驱动输入; CH2: 驱动输出; CH4: 驱动源电流

图9:SLM2184S的驱动上升速度

负载电容1nF


24.png

CH2: 驱动输出

图10:SLM2184S的驱动上升速度

负载电容1nF


25.png

CH1: 驱动输入; CH2: 驱动输出; CH4: 驱动灌电流

图11:SLM2184S的驱动下降速度

负载电容1nF


26.pngCH2: 驱动输出

图12:SLM2184S的驱动下降速度

负载电容1nF


27.png

CH2: 驱动输出

图13:SLM2184S的驱动上升速度

负载电容2.2nF


28.png

CH2: 驱动输出

图14:SLM2184S的驱动上升速度

负载电容3.3nF


29.png

CH2: 驱动输出

图15:SLM2184S的驱动下降速度

负载电容2.2nF


30.png

CH2: 驱动输出

图16:SLM2184S的驱动下降速度

负载电容3.3nF


IR2184S驱动测试


1650802881518049.png

CH1: 驱动输入; CH2: 驱动输出; CH4: 驱动源电流

图17:IR2184S的驱动源电流

负载电容100nF


1650802865221217.png

CH1: 驱动输人; CH2: 驱动输出; CH4: 驱动源电流

图18:IR2184S的驱动源电流上升速度

负载电容100nF


1650802853238446.png

CH1: 驱动输入; CH2: 驱动输出; CH4: 驱动灌电流

图19:IR2184S的驱动灌电流

负载电容100nF


1650802829357464.png

CH1: 驱动输入; CH2: 驱动输出; CH4: 驱动灌电流

图20:IR2184S的驱动灌电流上升速度

负载电容100nF


1650802817417642.png

CH1: 驱动输入; CH2: 驱动输出; CH4: 驱动源电流

图21:IR2184S的驱动上升速度

负载电容1nF


1650802804728635.png

CH2: 驱动输出

图22:IR2184S的驱动上升速度

负载电容1nF


1650802785680742.png

CH1: 驱动输入; CH2: 驱动输出; CH4: 驱动灌电流

图23:IR2184S的驱动下降速度

负载电容1nF


1650802774840010.png

CH2: 驱动输出

图24:IR2184S的驱动下降速度

负载电容1nF


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CH2: 驱动输出

图25:IR2184S的驱动上升速度

负载电容2.2nF


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CH2: 驱动输出

图26:IR2184S的驱动上升速度

负载电容3.3nF


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CH2: 驱动输出

图27:IR2184S的驱动下降速度

负载电容2.2nF


1650802717156204.png

CH2: 驱动输出

图28:IR2184S的驱动下降速度

负载电容3.3nF


测试总结


从以上实验测试可以看到,驱动芯片的驱动速度不仅取决于驱动电流的大小,还受到诸如驱动电流建立时间、MOSFET的输入电容等因素的影响。有些驱动芯片的驱动电流虽然比较大,但由于它的电流上升和下降速度很慢,并没有很好地发挥大驱动电流的作用,甚至在大部分应用场合下驱动速度(tr和tf)不如驱动电流小的驱动芯片。因此,在选择驱动芯片的时候,不仅要关注驱动电流的大小,也要关注在一定负载电容下的上升、下降时间。当然最为妥当的办法是根据实际选择的功率管测量驱动端的波形,从而判断是否选择了合适的驱动芯片。



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