多功能预驱动器，为中高电流驱动器提供全方位保护

品慧电子讯关于IGBT／MOSFET预驱动器，相信做电机驱动或者大功率设备驱动的工程师都会有所了解，所谓预驱动器，其实就是将微控制器与IGBT／MOSFET隔离开来，为负载及驱动器提供保护，并为微控制器（MCU）提供诊断信息。这种预驱动器一般会使用运放，MOS或者三极管等搭建，在实现保护驱动器和微控制器的前提之下，还实现了将MOSFET的漏极-源极电压（VDS）与基准电压做比较，实现状态诊断；那么大家知道光耦其实还可以做IGBT／MOSFET的预驱动器么？东芝针对IGBT／MOSFET产品以及光耦应用技术深耕多年，这款针对中高电流IGBT／MOSFET的预驱动器——TLP5231，就是东芝半导体系列产品线的补充和完善。

一、电气特性分析

TLP5231由两个红外发光二极管（LED）和两个高增益高速光接收IC芯片组成，从而实现故障信号的反馈功能，采用SO16L封装，输出峰值电流高达±2.5A。

TLP5231能够使用外部互补MOSFET缓冲器，仅在缓冲器MOSFET的栅极充电或放电时消耗电流，有助于降低功耗。

TLP5231可提供±25kV/μs的有效的共模瞬变抑制，从而改善电路中的EMI，同时具有5kv的隔离电压，-40℃至110℃宽范围工作温度，抗干扰能力优异，能够应对不同工作场景；

具体参数如下：

（除非另有说明，Ta＝-40℃至110℃）

二、功能特性分析

1. 简化死区时间设计

TLP5231内置有源时序控制的双输出，这种双输出消除了死区时间设计的需要，并防止因同时导通而产生的开关损耗。适用于驱动P沟道和N沟道互补MOSFET缓冲器。

2. 提高软关断设计灵活性

当检测到过流时，由于这个软关断MOSFET与MOSFET Q2缓冲器使用的不是同一导线（线路），通过使用另一个外部N沟道MOSFET实现可配置栅极软关断时间，从而提高设计灵活性，不影响正常关断操作。

3. 故障信号自动复位

当监控集电极电压检测到过流时或欠压锁定时，故障信号会输出到一次侧。因此与传统的IGBT／MOSFET相比，它更支持作为预驱动器的设计。

三、应用场景

TLP5231光耦主要针对中高电流IGBT和MOSFET的隔离栅极驱动电路，主要应用场景可以是工业设备（工业逆变器和光伏逆变器功率调节器等）或者是不间断电源（UPS）等。

东芝在IGBT和MOSFET的预驱动器上十年磨一剑，在预驱动器小型化和电路简化方面做足了功课，通过其对经验的不断积累，对客户需求的归纳总结，相信在未来使用预驱动器的产品方面，东芝预驱动器的产品选型和参考都会极具价值。

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