强鲁棒性低侧栅极驱动电路设计指南
品慧电子讯随着新能源时代的到来，车载充电机（OBC）以及光伏逆变器（PV inverter）等新能源应用带来了数字控制开关电源的高速发展。
在开关电源的组成中，栅极驱动器作为连接控制级与功率级的桥梁，对系统的正常运行至关重要。在新能源汽车市场，尤其是关乎人身安全的车载充电器应用中，对栅极驱动器的可靠性的要求越来越高。本文以低侧驱动器为例，列举出在栅极驱动器的潜在失效风险以及对应的设计指南，以便提高栅极驱动器的可靠性。
同时本文也介绍了TI最新推出的 UCC27624是双路低侧栅极驱动器，，低至-10V输入端口负压承受能力以及强大的抗电流反灌能力，使得该芯片适合高噪声和辅助供电变压器驱动的应用场景;具有5A的驱动能力和最大30V的驱动电压，高速低延迟的开关特性。能有效驱动金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)等功率开关 。
在UCC27524A-Q1的应用案例中，通常会有两种失效现象：
1. 芯片外围引脚无开短路和阻抗异常现象，但是OUTA、OUTB无输出；
2. 芯片输出引脚OUTA或OUTB出现对地、VDD供电短路或者阻抗偏低；
失效分析结果通常会显示芯片内部逻辑电路或者是输出功率级损坏，而这些损坏的原因往往指向外部应用电路设计。下面本文针对几种常见的引起失效的原因进行说明并给出应对策略：
UCC27524A-Q1内部框图
VDD noise and pulse
如前所述，UCC27524A-Q1具有高驱动能力以及高速的开关特性。因此，在功率开关管导通以及关断的瞬态过程中，会在VDD偏执电压供电回路产生较高di/dt，进而耦合线路中的寄生电感，产生电压脉冲。如果电压脉冲过高，则可能造成芯片损坏。
另一方面，VDD 经内部LDO给芯片内部电路供电。当VDD的电源噪声过大， 则容易把噪声传导到内部电路，比如逻辑控制电路，从而引发电流尖峰，造成内部电路功耗以及应力增加，长期工作则容易损坏。
针对以上两个问题，可通过以下方式得到更干净的电源轨：
1. 尽可能靠近VDD引脚放置电容，以减小线路寄生电感；
2. VDD引脚需要两种电容，一方面需要容值稍大的电容（比如1uF），稳定电压同时给驱动芯片提供能量。另一方面，考虑到电容的频率特性，大容值电容由于材质以及封装大小等原因，在高频处反而呈现电感属性。因此另外还需要小容值小封装的贴片陶瓷电容（比如1uF），用于滤除高频噪声，而且小容值电容应更靠近VDD引脚。
Input negative voltage pulse
驱动输入PWM信号通常由PWM控制器或者MCU提供，而这些器件由于系统限制，可能远离驱动芯片。另一方面，驱动与功率管的放置也存在类似问题，因此功率地，驱动地以及控制地之间都存在一定寄生电感。而随着开关电源功率以及开关速度的提升，di/dt也随之迅速提升，耦合前述的寄生电感，则不同地之间的电平会有瞬态正负压脉冲。其中，驱动输入信号叠加这种地平面脉冲后，可能有超过输入引脚耐压的尖峰，从而损坏驱动芯片的输入级。
针对这个问题，可通过以下方法优化设计：
1. 增大驱动电阻，从而降低开关速度，减小功功率级di/dt值。但这种方法增加了开关损耗，尤其随着功率级开关频率的提升，开关损耗占整机功耗比例越发显著，因此需要权衡系统需求设计；
2. 优化layout，尽可能把驱动，功率管以及控制器靠近放置，减小寄生电感；
3. 在驱动输入引脚增加输入RC低通滤波网络，滤除相关高频噪声。选择合适的时间常数，减小输入波形畸变同时尽可能衰减目标频率的噪声。
OUTx voltage pulse
和前述输入级风险类似，驱动芯片输出级由于线路寄生电感以及高速的驱动电流瞬态过程，OUTx 引脚处会有正负压脉冲。幸运的是，驱动芯片输出级的内置mosfet体二极管可以在电压脉冲产生时把能量续流到地或者VDD，从而一定程度增强了输出级的电压脉冲承受能力。但是考虑到体二极管的导通压降较大，损耗较高。严重的电压脉冲仍然有降低芯片寿命，甚至损坏芯片的风险。
针对这个问题，可通过以下方法优化设计：
1. 类似前述问题，优化layout，OUTx 引脚靠近功率开关的栅极放置从而减小寄生电感；
2. 选择合适的钳位二极管，并把它靠近放置在OUTx引脚，以便吸收脉冲能量，降低内部体二极管的损耗；
3. 在OUTx 引脚增加合适的磁珠，吸收高频尖峰能量。
UCC27624
按照以上建议对低侧栅极驱动芯片进行设计，可以大大提高电路工作的可靠性。同时，考虑到SiC MOSFET等宽禁带开关器件的普及，在此类应用中，驱动电压以及开关频率提高，功率管对寄生参数更加敏感。为了覆盖这种更恶劣的应用场景，简化系统设计，TI推出的新一代低侧栅极驱动芯片UCC27624针对以上提到的风险点，作出了相应优化，大大提升了芯片的鲁棒性：
1. 高达30V的VDD最大耐压值，提升了安全裕度；
2. 提高了内部LDO的噪声抑制能力，从而提升了芯片在噪声环境中的鲁棒性；
3. 低至-10V的输入耐压能力；
4. 更宽的输出电压脉冲承受能力，以及-5A的反向脉冲电流承受能力。
总结
本文分析了低侧栅极驱动器输入，输出以及供电级可能遇到的风险，并分别提出相应优化措施，提高系统在日益恶劣的工况中运行的可靠性。另外，本文还介绍了TI 新一代栅极驱动器UCC27624针对这些风险作出的改进。有助于工程师设计出鲁棒性更强的系统。
参考文献
How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs
来源：TI，作者： Terry Liang
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
推荐阅读：
集成1700V SiC MOSFET车规高压开关不仅是多个第一
SiC MOSFET模块的硬并联
ADALM2000实验：CMOS模拟开关
集成驱动器！原来，GaN电源系统性能升级的奥秘在这里~
波反射——为何在RF设计中理解这个概念非常重要？
