MOSFET的性能：漏极电流和功耗

允许损耗和漏极电流是MOSFET的典型最大额定值，计算如下。（有些产品采用了不同的电流表达式。）

通过热阻和结温来计算功耗。漏极电流将采用欧姆定律，由计算得出的功耗和导通电阻进行计算。

PD：功耗

器件指定温度条件下允许的功耗

ID：漏极电流

直流额定值：正向流动的直流电流。（在室温下定义）

IDp：脉冲漏极电流

指定脉宽下的最大漏极电流。一般是直流电流的4倍。