你好!欢迎来到深圳市品慧电子有限公司!
语言
当前位置:首页 >> 技术中心 >> 互连技术 >> MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素

MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素


品慧电子讯许多中高压MOSFET(250V及以上)具有平面MOS(π-MOS)结构,而小于200V的产品大多具有沟槽MOS(U-MOS)结构。因此,当耐受电压VDSS=600V时,Rdrift成为主导因素,当耐受电压是30V时,因素Rch的比例较高。


MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素


(1)MOSFET器件结构将根据要求的耐受电压来选择。确定导通电阻RDS(ON)的因素如图3-7和方程式3-(1)所示。根据器件的结构,决定导通电阻的因素比例将发生变化。

(2)例如,许多中高压MOSFET(250V及以上)具有平面MOS(π-MOS)结构,而小于200V的产品大多具有沟槽MOS(U-MOS)结构。因此,当耐受电压VDSS=600V时,Rdrift成为主导因素,当耐受电压是30V时,因素Rch的比例较高。


MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素

图3-7(a)D-MOS的导通电阻决定因素


MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素

图3-7(b)沟槽MOS的导通电阻决定因素


RDS(ON)=Rsub+Rdrift+RJ-FET+Rch+RN+


RDS(ON)=Rsub+Rdrift+Rch+RN+???方程式3-(1)


如果是VDSS=600V,顺序为Rdrift >> Rch > RJ-FET,RN+,Rsub和RDS(ON)取决于Rdrift

如果是VDSS=30V,顺序为Rch >> Rdrift > RN+,Rsub。沟槽MOS结构的精细图形化可以最大限度降低RDS(ON)对Rch的依赖性

(来源:东芝半导体)


免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请电话或者邮箱editor@52solution.com联系小编进行侵删。



推荐阅读:

如何使用数字信号控制器构建更好的汽车和电动汽车系统

了解 3 种静态电流 (IQ) 的规格

高压放大器在交变电场空间电荷测量研究中的应用

使用 LTspice 进行电源电路设计的技巧

如何使用分立式 JFET 放大低噪声电路中的小信号?

相关文章

    用户评论

    发评论送积分,参与就有奖励!

    发表评论

    评论内容:发表评论不能请不要超过250字;发表评论请自觉遵守互联网相关政策法规。

    深圳市品慧电子有限公司