MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素
品慧电子讯许多中高压MOSFET(250V及以上)具有平面MOS(π-MOS)结构,而小于200V的产品大多具有沟槽MOS(U-MOS)结构。因此,当耐受电压VDSS=600V时,Rdrift成为主导因素,当耐受电压是30V时,因素Rch的比例较高。
(1)MOSFET器件结构将根据要求的耐受电压来选择。确定导通电阻RDS(ON)的因素如图3-7和方程式3-(1)所示。根据器件的结构,决定导通电阻的因素比例将发生变化。
(2)例如,许多中高压MOSFET(250V及以上)具有平面MOS(π-MOS)结构,而小于200V的产品大多具有沟槽MOS(U-MOS)结构。因此,当耐受电压VDSS=600V时,Rdrift成为主导因素,当耐受电压是30V时,因素Rch的比例较高。
图3-7(a)D-MOS的导通电阻决定因素
图3-7(b)沟槽MOS的导通电阻决定因素
RDS(ON)=Rsub+Rdrift+RJ-FET+Rch+RN+
RDS(ON)=Rsub+Rdrift+Rch+RN+???方程式3-(1)
如果是VDSS=600V,顺序为Rdrift >> Rch > RJ-FET,RN+,Rsub和RDS(ON)取决于Rdrift
如果是VDSS=30V,顺序为Rch >> Rdrift > RN+,Rsub。沟槽MOS结构的精细图形化可以最大限度降低RDS(ON)对Rch的依赖性
(来源:东芝半导体)
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