适用于 36V 电池的高效隔离

品慧电子讯使用 36 V 锂离子电池供电的工具和室外电力设备变得日益常见。这类电池具有良好的功率和电池寿命搭配，同时相对轻便，易于使用。但由于能量密度比较高，因此它们需要高效的电池隔离。Nexperia（安世半导体）的新型 50/55 V 专用 MOSFET 提供必要的安全工作区（SOA）和鲁棒性，同时还提供显著改进的效率和很高的额定功率，外形尺寸为 5*6 mm。

过去几年，使用电池供电的无绳工具和室外电力设备迅猛发展。推动这种趋势的关键因素之一是使用寿命持久的 10 芯 36 V 锂离子电池组的问世。这些电池具有高能量密度，非常适合专业工具，也适合传统有绳设备，甚至是发动机驱动的室外电力设备，例如电锯和割草机。但是，由于能量密度升高，它们更加需要高效的电池隔离。

为了确保任何大量放电都以受控的方式进行，直至电池安全隔离和系统关闭电源，我们需要非常稳定的高热效率 MOSFET。按照标准 MOSFET 电压额定值，对于 36 V 电池，设计人员会使用 60 V MOSFET。但是，对于 36 V 的标称额定值，使用 50 V 或 55 V 的 MOSFET 比较理想。减小 MOSFET 电压额定值，可为优化 SOA、ID 额定值和雪崩能力提供机会，从而提高整体安全性和效率。

维持安全工作区至关重要

出现故障的情况下，当故障导致深度放电时，由于在高电流下电路电感两端产生的电压，电池隔离 MOSFET 通常会进入线性模式。因此，维持稳定的安全工作区至关重要。Nexperia的 MOSFET 技术提供了出色的安全工作区功能，利用 50/55 V ASFET，我们优化了 1 ms 至 10 ms的放电性能。例如，这意味着，PSMN1R5-50YLH 能够在 40 V 电压下处理高达 5 A 的放电，持续 1 ms。

优化雪崩能力

电池隔离 MOSFET 通常放置在远离负载的位置，可能遭受非钳位电感尖峰（UIS）。通过优化VDS电压（50 V），使其更接近电池电压（36 V），可帮助将耗散电能减少至少 20%（与 60 VDS 器件相比），并且可以避免潜在的故障。鉴于典型应用经常在恶劣环境下运行，雪崩事件可能很常见。Nexperia（安世半导体）的 PSMN1R5-50YLH 具有 2000 mJ（在 25 A 电流下）的单相雪崩额定值（EAS），能够反复耐受此类事件。

扩展已经成熟的产品组合

随着这些专用 50/55 V ASFET 的发布，Nexperia 成为率先专门针对 36 V 电池系统提供 50 V 额定值 MOSFET 的公司之一。该产品在 SOA、ID 额定值和雪崩能力方面进行了优化，同时保持良好的导通电阻，为设计人员提供了非常稳定的电池隔离解决方案。它提供业界领先的性能，直流电池额定值为 200 A，计算的硅限制为 312 A，外形尺寸为 5*6 mm，并基于 Nexperia 的成熟电池隔离 ASFET 产品组合构建。

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