CCM与DCM模式到底有什么区别？
品慧电子讯有人问CCM和DCM之间到底有何区别？要如何区分这两种模式？之前在网络上有看到一份关于CCM和DCM这两者之间的判别及分析的材料，个人感觉讲的还是比较到位的，所以分享出来，希望对大家有所帮助。
有人问CCM和DCM之间到底有何区别？要如何区分这两种模式？之前在网络上有看到一份关于CCM和DCM这两者之间的判别及分析的材料，个人感觉讲的还是比较到位的，所以分享出来，希望对大家有所帮助。
CCM又称为连续导通模式，顾名思义就在在一个开关周期内，电感的电流是连续的，电流不会归0，如果按照专业的将就是电感从不 “复位”。
DCM被称为非连续导通模式，就是在开关周期内，电感电流总会回归到0，也就是电感会被 “复位”。
这两种模式在波形上有明显的区别：
在变压器的初级电流，CCM模式波形为梯形波，而DCM模式是三角波。
在变压器的次级整流管波形上，CCM同样为梯形，而DCM则为三角波。
具体波形如下图所示：
在MOS关断的时候，Vds的波形显示，MOS上的电压远超过Vin+Vf，这是因为，变压器的初级有漏感。漏感的能量是不会通过磁芯耦合到次级的。那么MOS关断过程中，漏感电流也是不能突变的。漏感的电流变化也会产生感应电动势，这个感应电动势因为无法被次级耦合而箝位，电压会冲的很高。那么为了避免MOS被电压击穿而损坏，我们都会在初级侧加了一个RCD吸收缓冲电路，把漏感能量先储存在电容里，然后通过R消耗掉。
当次级电感电流降到了零。这意味着磁芯中的能量已经完全释放了。那么因为二管电流降到了零，二极管也就自动截止了，次级相当于开路状态，输出电压也就不再返回初级了。由于此时MOS的Vds电压高于输入电压，所以在电压差的作用下，MOS的结电容和初级电感发生谐振。谐振电流给MOS的结电容放电。Vds电压开始下降，经过1/4之一个谐振周期后又开始上升。由于RCD箝位电路以及其它寄生电阻的存在，这个振荡是个阻尼振荡，幅度越来越小。
F1比F2大很多（从波形上可以看出），这是由于漏感一般相对较小；同时由于F1所在回路阻抗比较小，谐振电流较大，所以能够很快消耗在等效电阻上，这也就是为什么F1所在回路很快就谐振结束的原因。
MOS管在开通和关断瞬间寄生参数对波形影响：
DCM(Vds，Ip)
CCM（Vds，Ip）
次级输出电压（Vs，Is ,Vds）
不管是在CCM模式还是DCM模式，在MOSFET 开通ON时刻，变压器副边都有震荡。主要原因是初次及之间的漏感+输出肖特基（或快恢复）结电容+输出电容谐振引起，在CCM模式下与肖特基的反向恢复电流也一些关系。故一般在输出肖特基上并联-一个RC来吸收，使肖特基应力减小。
不管是在CCM模式还是DCM模式，在MOSFET关断OFF时刻，变压器副边电流IS波形都有一些震荡。主要原因是次级电感+肖特基接电容+输出电容之间的谐振造成的。
RCD吸收电路对Vds的影响
在MOS关断的时候，Vds的波形显示，MOS上的电压远超过Vin+Vf！这是因为，变压器的初级有漏感。漏感的能量是不会通过磁芯耦合到次级的。那么MOS关断过程中，漏感电流也是不能突变的。漏感的电流变化也会产生感应电动势，这个感应电动势因为无法被次级耦合而箝位，电压会冲的很高。那么为了避免MOS被电压击穿而损坏，所以我们在初级侧加了一个RCD吸收缓冲电路，把漏感能量先储存在电容里，然后通过R消耗掉。
（转载自：贸泽工程师社区，来源：开关电源解析（作者： lk95818171））
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