射频PA+FEM导杂散差的原因分析

品慧电子讯射频 PA+FEM 加上屏蔽罩的传导杂散更差（DCS 的二三次谐波），不知是何原因，请赐教！

问题：射频 PA+FEM 加上屏蔽罩的传导杂散更差（DCS 的二三次谐波），不知是何原因，请赐教！

可能原因三个 :

1. 匹配组件受 Shielding Cover 影响 以至于阻抗偏了

如下图 :

若 Shielding Cover 跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值，以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大。尤其是早期 0402 组件更容易这样 但现在 0201 组件很少会这样了。

2. RF 讯号泄漏到 PA 的 Vcc

当你盖上屏蔽罩时，PA 会把 RF 讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方，也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的 TX 讯号。

若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的 TX 讯号 会通通流到 GND；

若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的 TX 讯号，一部分流到 GND 一部分会再反射；

若反射的 TX 讯号 打到 PA 的 Vcc 那当然 TX 性能就劣化。

3. 屏蔽罩跟 PA 离太近 之间的寄生效应 改变了 PA 特性

验证方式 :

第一种现在很少见了 所以就不提

第二种的话 可以这样验证 如下图：

因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好，因此，如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式。其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差，那凶手就可能是来自这原因。

值得注意的是，那个 DC Block 要加，避免 Vcc 的直流电源，回灌到 PA 或 CMW500。

第三种的话 在没加屏蔽罩状况下

在 PA 上方先贴个胶带，再随便放个金属片。一样，你说没加屏蔽罩时，其传导杂散会比较好。

因此，如果在没加屏蔽罩状况下，你用这种方式。

若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差，那凶手就可能是来自这原因。

解决方案：

第一种现在很少见了，所以就不提。

第二种的话

因为凶手是来自 RF 讯号灌入 Vcc，所以你在 Vcc 那边。摆放一个落地电容，让灌入 Vcc 的 RF 讯号流到 GND。

既然你主频是 DCS 以 0201 的电容来讲，你就放个 18 pF。

第三种只能改结构

要嘛把屏蔽罩跟 PA 之间距离拉大，不然就是 PA 上方直接开天窗。

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