65W 以内电源适配器设计经验
品慧电子讯接触电子业10年，经历过5-6级，无 Y 有 Y，EMI 整改、认证、系列、专案等……以下为我在设计 65W 以内的电源适配器 时的整改小经验。
能效整改
1. VF 值，肖特基
? 低 VF 值的要比普通的要高0.5-3个百分比；
? 品牌、VF 值不一样，有差别；
? 选型，能用40V 的就不要用45V 或者60V 的，电压经测试可以得出。
2. 加速度肖特基的导通
电源适配器基本上都在次级加入了 RCD 电路，如图，可将 R2 更改为 D3（D3为4148），此处更改可增加老化后0.5%的效率，但是 R1 的位置要按测试 EMI 测试出来的数据相对应的调整。
3. 初级 RCD
可将吸收的 D 更改为阻尼二极管。
此处更改有以下优势：
① MOS 管的峰值会下降。600V 左右的峰值会下降到520V 左右。实测为准。
② 能效，老化5分钟后，增加0.5%的效率。
③ 注意事项，此时吸收只的 R，取值5M-10M 左右为最佳。
④ 注意 MOS 串在 RCD 上的电阻，太小会影响 EMI，大了也不适合。以测试为准。
4. 变压器
此处各位搞工程的都懂，无非就是设计时的计算与绕线方式。
本人经验
? 定频 65KHZ 的 IC 在45-50KHz 时（满载）最佳。
? 注意10%--25%负载时有没有异音。
5. 电解电容 ESR
低 ESR 的效率要高过普通的，包括现在用的高分子电容。可以提高寿命与能效，是针对低压大电流的不二选择。
6. 待机
高压起动的 IC，节省了起动电阻的损耗。非高压起动的 IC 可加大起动电阻来减少待机功率，但是会影响起动时间，可以按一定条件更改 VCC 起动电容，或者增加二级起动电路等，包括更改假负载电阻等，当然太小了会出现空载不稳定的现象等。
本文转载自 21Dianyuan
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