继电器的振动，可让MOSFET在开关关闭时被破坏

品慧电子讯请注意由于与继电器控制并联的机械开关而产生的瞬态电压。当驱动感性负载时，不要将机械开关与MOSFET并联。当继电器关闭时，由于继电器的启动时间短，产生了高的瞬态电压(dv/dt)，这通常是由于产生了大量的dv/dt而累积起来的。

潜在问题:

当MOSFET处于关闭状态时，开关的开启会导致MOSFET的破坏:由于机械开关的短暂时间，高的dvdt会激活在MOSFET中包含的寄生晶体管。浪涌的能量将集中在这种寄生晶体管上;这可以破坏寄生双极晶体管，并破坏MOSFET本身。MOSFET在漏极源和源极之间的绝对短路损坏。

Note:由于继电器的振动，MOSFET也可以在开关关闭时被破坏。

预防措施:

1.使用一个双极晶体管，用一个稳压二极管保护来限制振荡电压，其值低于VCEmax。39vzener电压是接受抛负载的推荐值。

2.使用一个zener保护二极管，其电压低于MOSFET的第二次击穿电压(第二个击穿电压可以低到50%的VDSmax)选择MOSFET(第二次击穿电压为39V)。

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