绝缘栅双极晶体管
绝缘栅双极晶体管
绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:栅极,集电极和发射极
绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:栅极,集电极和发射极
上一篇:晶体管计算机百科知识
下一篇:电子管的结构及性能特点
发评论送积分,参与就有奖励!
评论内容:发表评论不能请不要超过250字;发表评论请自觉遵守互联网相关政策法规。