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混合模块开启下一场芯片封装革命


品慧电子讯计算机主要组件的封装几十年来相对稳定,但现在正经历一场革命。例如,在内存和中央处理器(CPU)之间已经达到散热和带宽极限的情况下,业界正在寻求新的方案来提高性能并降低功耗。最近两年,引领这一追求的是混合内存立方体(HMC)构想...



计算机主要组件的封装几十年来相对稳定,但现在正经历一场革命。例如,在内存和中央处理器(CPU)之间已经达到散热和带宽极限的情况下,业界正在寻求新的方案来提高性能并降低功耗。

最近两年,引领这一追求的是混合内存立方体(HMC)构想(图1)。这是美光科技(Micron)提出的概念,业已被庞大的产业领导者联盟——混合内存立方体联盟(Hybrid Memory Cube Consortium)所采用。


图1 混合内存立方体。

这一概念基于用一组高速串行连接取代传统的DRAM总线,同时使内存和运算芯片在物理上非常接近,以便去掉驱动DRAM总线的功率晶体管。由此产生的模块可将内存的功耗降低70%~90%,目前性能可达160GB/s水平,这是两项令人瞩目的进展。未来的配置目标是超过上述指针的两倍,最终是使用多个内存模块实现1TB/s的吞吐率。

硅穿孔(TSV)是使能技术(enabling technology)。透过在逻辑模块上堆栈内存裸片并使用TSV将顶层连接到逻辑电路,使用大量的并行链路,可实现很小的面积占用。今天的产品通常有四个堆栈裸片,所以每个模块的容量限制在16GB。

逻辑层可以是CPU、绘图处理器(GPU)、现场可编程门阵列(FPGA)或只是控制逻辑,似乎所有这些选项都开始出现。来看一些应用,CPU选项看来显而易见,在CPU之上构建DRAM得到的稍厚的混合芯片,应用在智能型手机和平板计算机上令人关注,这是一种节省宝贵空间的方式,但更重要的是节省稀少且缺乏的电能。使用16GB容量的方案,已经是个可行的建议,而更高密度的封装将扩大到整个市场。

在服务器中,更高的带宽是吸引力所在。目前尚不清楚市场是否会跟进CPU/内存堆栈路径,或是选择多个内存芯片的紧密并列封装,后者可将带宽提升到500+GB/s范围并增加HMC容量。举例来说,英特尔(Intel)的Knights Landing Phi芯片旨在使用堆栈内存结构(图2)。


图2 英特尔Knights Landing代号Xeon Phi处理器。(图片来源:英特尔)

AMD和Nvidia这两家GPU制造商选择了采用多通道并行总线不同的模块化方法(高带宽内存,HBM)。HMB比RAM总线宽得多,可提供更高带宽。DRAM裸片堆栈和与GPU紧密耦合旨在解决性能和功耗问题,将模块方法应用到GPU引发了与服务器相同的封装问题,因此解决方案的采用可能取决于GPU产品是针对消费类还是针对人工智能(AI)市场。

在服务器系统中用作加速器的FPGA,其本身的故事仍在不断演绎,尽管像Altera/Intel和赛灵思(Xilinx)这样的公司已经为HMC提供了原型开发板。

这种模块化方法透露出主要的管道含义。然主导力的天平明显地倒向内存芯片制造商(如美光),而对没代工厂的DIMM组装厂商不利,但这并非一蹴可几,因为系统结构和芯片生态系统还没有发展到可正确使用模块化方案。可能的情况是,智能型手机的封闭性将使其成为更容易渗透的市场。

服务器市场转向模块化方法,很可能会因服务器核心中以结构为中心架构的兴起而变得复杂。诸如Gen-Z之类的方法使得串行内存连接成为将CPU、GPU、FPGA和外部通讯连接在一起的RDMA结构的焦点,它使所有服务器单元之间直接使用公共内存,以及共享内存和接口的跨集群成为可能。未来AMD和Nvidia的计划将致力于内存与GPU之间更紧密的耦合,以使当前架构将大量数据从CPU内存传输到GPU内存的问题不再困难。

主导力的天平倒向芯片制造商不仅伤及DIMM制造商,还同样殃及插卡制造商。服务器主板将可能具有针对适配驱动器或LAN的SoC方案的ZIF插槽,以及用于内存和计算组件的更多插槽。

但供货商阵营也并非一团和气。英特尔在谈论与业内其他家不同的途径。业内有讨论可更好填补Optane NVDIMM和L3高速缓存之间性能差距的高带宽、低延迟(HBLL)DIMM方案,而不是用于服务器的HMC。

最后的难题是,虽然这些新的内存速度非常快,但容量有限,目前为16GB或更小。虽然这与DIMM类似,但其架构将当今的许多模块排除在外。随着对TB容量内存的需求, 该问题尚没有得体的对策。英特尔在NVDIMM中内置傲腾(Optane)的HBLL方法很可能是条解决之道。

尽管英特尔明显的离经叛道(没有任何东西正式宣布为产品),但很明显,系统将变得更快、更模块化。为实现这种模块化,以太网络NVMe作为一种共享主储存的方式在市场上备受瞩目——这种架构可使驱动器与服务器分开,尽管它们可能仍然共享封装。所有这些都将在2018年上半年成为整个产业的发展蓝图,并导致系统性能真正大幅度地提升,从而推动整个系统和储存市场的发展。




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