LED照明效能提升方法
LED可在5奈秒的时间内产生光,而白热灯泡的反应时间则是200毫秒,因此汽车工业已将LED运用于煞车灯上。本文将针对LED特性以及驱动LED的折冲情形进行介绍,深入探讨适合LED驱动及调光的各种切换式电源拓扑,并详细说明相关优点。
稳定电流驱动LED维持固定亮度
LED驱动仍面临许多挑战,要维持固定的亮度,需要以稳定电流驱动LED,且不受到输入电压的影响,相较于白热灯泡单纯接上电池作为电源的挑战更大。
LED具有顺向V-I特性,与二极管情形类似。白光LED的开启阈值约为3.5伏特,在此阈值之下,通过LED的电流量非常少。超过此阈值之后,电流会以指数方式增强,造成顺向电压递增,LED因而成为具有串联电阻的电压来源模型。不过须要注意,此模型仅在直流电流单一操作的情况下有效,如果LED中的直流电流改变,则模型中的电阻也应该改变,以显现新的操作电流。在大量顺向电流的情况下,LED中所消耗的电力会提升装置温度,改变顺向压降与动态阻抗,决定LED阻抗时,务必考虑环境的热度。
如果LED是由降压稳压器驱动,除了直流电流之外,LED常会传导电感的交流链波电流,根据所选择的输出滤波器安排情形而定。这会增加LED中电流的RMS强度,也会增加其功率的消耗,并使结点温度升高,对LED的寿命有重大影响。如果在灯光输出上设立70%的限制作为LED的使用年限,便可增加LED的寿命,由74℃的15,000小时,延长到63℃的40,000小时。LED中功率流失的判定方法,是将LED电阻乘上RMS电流的平方,加上由平均电流乘上顺向压降的数值。由于结点温度是由平均功率所决定,即使出现大量的链波电流,对功率消耗的影响也很小。举例来说,在降压稳压器当中,相等于直流输出电流的峰间链波电流(Ipk-pk=Iout),总功率损耗将增加不到10%。如果是大于此程度相当多的情况,则必须降低供应的交流链波电流,以维持结点温度及操作寿命。在此有一个实用的基本原则,就是结点温度降低10℃,半导体的寿命就会增加两倍。实际上大部分的设计,因为电感限制的关系,倾向使用低上许多的链波电流。另外,LED中的峰值电流,不应超过制造商指定的最大安全操作额定值。
LED应用于多种领域需多种电源拓扑支持
表1的信息可供作选择LED驱动器最佳切换拓扑的参考。除了这些拓扑之外,也可以使用简单的电流限制电阻或是线性稳压器,不过这些方法通常会耗用过多功率。输入电压范围、驱动的LED数目、LED电流、隔离、电磁干扰(EMI)限制以及效能,都是相关的设计参数。大部分的LED驱动电路可分为以下几种拓扑类别:降压、升压、降压升压、SEPIC以及返驰。
图1显示三个基本电源拓扑的例子,第一张图所显示的降压稳压器,可使用于输出电压永远小于输入电压的情形。图1中,降压稳压器改变金属氧化半导体场效晶体管(MOSFET)的导通时间,以控制进入LED的电流。可越过电阻测量电压以进行电流侦测;电阻与LED为串联状态。驱动MOSFET是本方法在设计上的重大挑战,如果从成本及效能的观点来看,建议使用须要浮接闸极驱动的N信道FET。N信道FET须要使用驱动变压器或是浮动驱动电路,两者都可维持电压高于输入电压。
图1 供应LED电力的简易降压及升压拓扑
图1也显示替代的降压稳压器(Buck #2)。在此电路中,MOSFET的驱动与接地有关,大幅降低了驱动电路的需求。本电路侦测LED电流的方法为监控FET电流,或是与LED串联的电流侦测电阻。如果采用后者,则须要使用位准移位电路,将此信息送至接地电源,并将简单的设计复杂化。同样显示于图1中的升压转换器,则是在输出电压永远大于输入时使用。这种拓扑设计容易,因为MOSFET的驱动与接地有关,而电流侦测电阻也是属于接地引用类型。此电路的缺点是在短路时,无法限制通过电感的电流,可以使用保险丝或电路断路器,作为故障保护装置。此外,还有一些较复杂的拓扑可提供这类保护。