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场效应管放大电路


场效应管放大电路

1.场效应管的小信号模型

  已知场效应管输出特性表达式:

  求全微分:

  其中: 低频跨导可从输出曲线上求出

aaaa   a 漏极与源极间等效电阻

      

  一般rds很大,可忽略,得简化小信号模型:

2. 共源极放大电路

  以NMOS增强型场效应管为例

  三极管与场效应管三种组态对照表:

电路组成

  比较共源和共射放大电路,它们只是在偏置电路和受控源的类型上有所不同。只要将微变等效电路画出,就是一个解电路的问题了。

  图中Rg1、Rg2是栅极偏置电阻,Rs是源极电阻,Rd是漏极负载电阻。与共射基本放大电路的Rb1、Rb2,Re和Rc分别一一对应。而且只要结型场效应管栅源间PN结是反偏工作,无栅流,那么JFETMOSFET的直流通道和交流通道是一样的。

直流分析

 

 直流分析:

  VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2)

  VGS= VG-VS= VG-IDR

  ID= IDSS[1-(VGS /VP)]2

  VDS= VDD-ID(Rd+R)

  解出VGS、ID和VDS。

                              直流通路   

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