你好!欢迎来到深圳市品慧电子有限公司!
语言
当前位置:首页 >> 分立器件 >> 三极管 >> 3DG6型NPN型硅高频小功率三极管参数

3DG6型NPN型硅高频小功率三极管参数


3DG6型NPN型硅高频小功率三极管参数

表1.1.14:

原型号

3DG6

测试条件

新型号

3DG100A

3DG100B

3DG100C

3DG100D

极限参数

PCM(mW)

100

100

100

100

ICM(mA)

20

20

20

20

BVCBO(V)

≥30

≥40

≥30

≥40

Ic=100μA

BVCEO(V)

≥20

≥30

≥20

≥30

Ic=100μA

BVEBO(V)

≥4

≥4

≥4

≥4

IE=100μA

直流参数

ICBO(μA)

≤0.01

≤0.01

≤0.01

≤0.01

VEB=10V

ICEO(μA)

≤0.1

≤0.1

≤0.1

≤0.1

VCE=10V

IEBO(μA)

≤0.01

≤0.01

≤0.01

≤0.01

VEB=1.5V

VBES(V)

≤1

≤1

≤1

≤1

Ic=10mA IB=1mA

VCES(V)

≤1

≤1

≤1

≤1

Ic=10mA IB=1mA

hFE

≥30

≥30

≥30

≥30

VCE=10V Ic=3mA

交流

参数

fT(MHz)

≥150

≥150

≥300

≥300

VCE=10V IE=3mA f=100MHz

RL=5Ω

Kp(dB)

≥7

≥7

≥7

≥7

VCE=-6V IE=3mA f=100MHz

Cob(pF)

≤4

≤4

≤4

≤4

VCE=10V IE=0

hFE色标分档       (红)30~60; (绿)50~110; (蓝)90~160; (白)>150

  1.gif

用户评论

发评论送积分,参与就有奖励!

发表评论

评论内容:发表评论不能请不要超过250字;发表评论请自觉遵守互联网相关政策法规。

深圳市品慧电子有限公司