ROHM开发出实现业界最低※VF与高抗浪涌电流的SiC肖特基势垒二极管“SCS3系列”
全球知名半导体制造商ROHM开发出非常适用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路※1的、第3代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基势垒二极管（以下称“SiC-SBD”） “SCS3系列”。
本产品采用新结构，不仅继承了量产中的第2代SiC-SBD所实现的业界最低正向电压※2（VF=1.35V、25℃）的特性，同时还确保了高抗浪涌电流特性。因此，还可用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路，非常有助于提高应用的效率。
本产品已于2016年3月开始出售样品，计划于2016年4月开始逐步投入量产。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co.， Ltd. （日本福冈县），后期工序的生产基地为ROHM Korea Corporation（韩国）。
今后，ROHM将通过扩大SiC元器件产品的阵容，继续为电力电子设备的节能化作出贡献。
＜背景＞
近年来，在太阳能发电系统、工业用各种电源装置、电动汽车及家电等电力电子领域，为提高功率转换效率以实现进一步节能，更高效率的功率元器件产品备受期待。SiC器件与以往的Si器件相比，具有优异的材料特性，在这些领域中的应用日益广泛。尤其是在服务器等这类要求更高电源效率的设备电源中，SiC-SBD产品因其快速恢复特性可有效提高效率而被用于PFC电路来提高设备效率。在这些用途中，抗浪涌电流※3特性成为重要的参数。一直以来，ROHM的第1代、第2代SiC-SBD产品均深获客户好评。为了进一步扩大应用范围，ROHM 采用新产品结构，成功开发出保持业界最高水平的低VF特性、并实现高抗浪涌电流特性的产品。
