MOS栅极驱动过程中，米勒效应会产生哪些危害？

很多电子工程师在使用MOS管时都忽略了米勒效应。但是米勒效应引发的开通损耗时间增长的明显现象，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。本文就来介绍米勒效应在MOS栅极驱动过程中造成的危害都有哪些。

米勒效应这个名词对于很多电子工程师来说，恐怕都不会陌生。作为一种会导致开通损耗时间增长的效应现象，它是由米勒电容所引发的，将会对MOS管的正常工作运行造成不利影响。

在MOS管的日常工作过程中，其栅极驱动过程可以理解为驱动源对MOSFET的输入电容的充放电过程。当Cgs达到门槛电压后MOSFET就会进入开通状态。当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区。但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。

图为出现米勒效应后的充放电曲线

这也就可以理解为什么米勒效应在MOS驱动中让无数工程师们头痛不已了。它是由MOS管的米勒电容引发的，在MOS管开通过程中，当GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。

米勒会严重增加MOS的开通损耗，并造成MOS管不能很快得进入开关状态，所以此时也就会出现所谓的图腾驱动。因此，在选择MOS时Cgd越小开通损耗就越小，然而该效应却不可能完全消失，只有尽可能的进行消除和削弱。

以上就是本文对MOS栅极驱动过程中米勒效应的危害所进行的简要分析，希望能够帮助工程师更加充分的进行不良效应的规避和消除。