变换器选择必知：精讲单向型DC/DC变换器拓扑结构

工程师在进行单向型的DC-DC变换器选择时，最好能够全面的了解不同类型的变换器使用哪种拓扑结构，从而能够更好的完成方案设计，提升整体的利用率。电子元件技术的小编这里为大家分析下单向型DC-DC变换器拓扑结构，求同存异！

单向型的DC-DC变换器是目前应用范围最广的类型，通常情况下，工程师会按照输入与输出间是否有电气隔离将其划分为两种类型。其中，没有电气隔离的称为不隔离的直流交换器，有电气隔离的称为有隔离的直流变换器。本文将会以不隔离的基本升压DC-DC变换器（图1）和隔离的半桥直流变换器（图2）加以比较，来说明两类DC-DC转换器在拓扑结构方面的不同之处。

图1 不隔离的基本升压直流变换器

图2 隔离的半桥直流变换器从上图所展示的两个拓扑结构中，我们可以很容易的看出两者之间的不同之处。图2所展示的隔离半桥直流变换器结构复杂，所用的元器件数量和种类都比较多，而圈1所展示的基本升压直流变换器的结构就要简单很多，所用的元器件数量和种类都比较少。由于受到变换器体积的限制，隔离的半桥直流变换器在工作中必须采用高频变压器，因此相应的开关管只能采用功率MOS管。图1则可以采用IGBT管，IGBT管兼备了MOS管和BJT管两者的优点，具有驱动简单、速度高、通态压降低、耐压高和可以承受大电流等优点，因此在大功率的工业应用场合得到了广泛的应用。除此之外，在MOS管导通方面两者也有差距。隔离的半桥直流变换器MOS管导通压降要高于图1中基本升压直流变换器的IGBT管，且后者的MOS管的导通损耗要低于前者导通损耗，而且图2中还有2个整流二极管的导通损耗。因此，为了实现双向能量变换功能，图1可以很容易地通过与其他的开关元器件相配合采用一套DC-DC变换器来实现，而图2则难以采用一套变换器实现，采用两套变换器会使得整个变换器装置体积增大。