SST与GLOBALFOUNDRIES共同推出非易失性存储器，实现低功耗、低成本、高可靠性

2015年5月15日，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）通过其全资子公司Silicon Storage Technology（SST）与GLOBALFOUNDRIES共同宣布，其共同推出的SST 55nm嵌入式SuperFlash® 非易失性存储器（NVM）产品已通过全面认证并开始向市场供货，该产品基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗强化型（LPx）/RF平台。

根据全球知名信息咨询公司IHS预测，2015年汽车半导体市场规模将达到310亿美元，相比2014年增幅可高达7.5%。而基于嵌入式闪存的半导体产品则在这一市场占有相当大的比重。

Microchip全资子公司SST技术许可部副总裁Mark Reiten表示：“嵌入式SuperFlash存储器事实上已成为各代工厂生产单片机、智能卡及各种系统级芯片的标准。与GLOBALFOUNDRIES的合作，为我们搭建先进的55nm嵌入式SuperFlash平台带来了巨大的技术优势，我们与各行业多个客户的业务洽谈也已经在进行当中。我们非常高兴可以和GLOBALFOUNDRIES携手进一步巩固公司在嵌入式闪存器件领域的市场领导地位。”

SST SuperFlash®技术与GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx完美结合，实现低功耗、低成本、高可靠性、优异数据保存性能和高耐用性兼具的卓越客户解决方案。GLOBALFOUNDRIES结合分离栅极单元SuperFlash技术的55nm工艺经认证测试符合JEDEC标准。同时，这一工艺技术还满足在-40°C至125°C的环境温度范围下AEC-Q100 1级认证标准，耐用性达到10万次的擦写周期，可实现150°C条件下超过20年的数据保存年限。

GLOBALFOUNDRIES产品管理高级副总裁Gregg Bartlett表示：“GLOBALFOUNDRIES意识到市场需要一款低成本的嵌入式闪存平台产品来实现安全的ID、混合信号、NFC/RF及新一代IoT应用。得益于公司与SST的深入合作，这项基于GLOBALFOUNDRIES高产的55nm低功耗工艺技术平台而实现的55nm SuperFlash合格商用技术将有助为各重点行业的客户提供高性能的解决方案。”

配备eNVM技术的GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx/RF平台现已开始投放市场。该平台技术备有一个自定义库，包含针对特定MCU产品应用而优化的现成eNVM IP模块，是一款可大幅缩短产品开发周期的解决方案。