英飞凌扩充GaN技术和产品组合，大幅度缩减电源尺寸和重量

2015年3月25日，英飞凌科技宣布扩充硅基氮化镓（GaN）技术和产品组合。英飞凌拥有增强模式和级联模式GaN平台，专门为了优化要求超高能效的高性能设备。GaN技术可以大幅度缩减电源尺寸以及减轻电源重量，该技术将为GaN产品在终端产品市场的发展创造新的机会。

英飞凌科技电源管理及多元化市场事业部总裁Andreas Urschitz表示：“英飞凌的硅基GaN产品组合，结合公司了所收购美国国际整流器公司的GaN平台，以及我们与松下电器的伙伴关系，使其在前景光明的GaN市场上确立了领先的地位。按照我们‘从产品到系统’的策略，现在，我们的客户可以根据其设备/系统要求，灵活选择增强模式或级联模式。与此同时，英飞凌致力于开发表面贴装器件（SMD）和IC，以便GaN技术在更为紧凑的空间内进一步充分发挥其优越性能。举个常见的实例来说，利用我们的GaN技术，当前市场上销售的便携式电脑充电器的尺寸和重量，可以被缩小并减轻至目前的四分之一。”扩充后，英飞凌提供产品将包括专门的驱动器和控制器IC，它们有助于充分发挥GaN在各种拓扑和更高频率下的优越性。同时，通过收购International Rectifier公司, 更为广博的专利组合、硅基GaN外延工艺和100V-600V技术等都得到了进一步加强。此外，通过与松下电器结成战略合作伙伴关系，英飞凌与松下电器将联合推出结合了松下电器的常闭型（增强模式）硅基GaN晶体管结构与英飞凌的表面贴装器件（SMD）封装的器件，推出易于使用的高能效600V GaN功率器件，这也将带给客户双重货源便利。这样一来，英飞凌为客户提供了完备的系统知识，以及业界最全面的GaN技术和产品组合。不仅如此，英飞凌将凭借出类拔萃的生产工艺、量产能力和第二货源渠道的优势，为客户提供采用英飞凌SMD封装的常闭型GaN功率器件。相比于硅技术解决方案，硅基GaN技术能够提高功率密度和能效，同时缩小器件尺寸，因此，非常适用于从诸如电视机电源和D类音频放大器等消费电子产品，到服务器和电信设备中使用的SMPS。IHS发布的市场研究报告称，面向功率半导体的硅基板GaN技术市场，将以高达50%以上的年均复合增长率（CAGR）增长，因此，到2023年，其市场容量将从2014年的1,500万美元，增至8亿美元。

供货情况

2015年3月15日至19日，在北卡罗来纳州夏洛特市举办的应用电力电子会议暨展览会（APEC）上，英飞凌和松下电器已展示采用DSO封装的600V 70m?器件样品。此外，还展出了增强模式和共源共栅配置器件。可在与客户签订保密协议(NDA)的情况下，提供增强模式和级联结构的器件样品。全面上市的中压级联结构的GaN器件已向相应的D类音频系统客户开放。