Fairchild 推出提供最低导通电阻和多种可选封装的SuperFET II MOSFET系列

半导体行业的先驱者Fairchild推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列。全新的 SuperFET MOSET 系列将最低的导通电阻 (Rdson)、最低的输出电容 (Coss) 和广泛的可选封装相结合，为设计师提高了灵活性，为制造商提高了产品的效率和可靠性。

美国加州圣何塞 – 2015 年 3 月 10 日— 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS)今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，该系列提供广泛的可选封装并拥有业内最低的导通电阻 (Rdson) 和输出电容 (Coss)。新系列帮助设计师提高高性能解决方案（需要 600V/650V 以上的击穿电压）的效率、成本效益和可靠性，同时通过减少元件的使用从而减少这些设计的电路板空间。

Fairchild最新的SuperFET II MOSFET 系列由 Rdson 范围为 4.3 欧姆至业内最低 60 毫欧的26个器件（均以各种标准封装提供）组成，为设计师在针对特定应用采用最佳器件中提供更多选择和灵活性。例如，FCD850N80Z 是该系列的主要成员，将 DPAK 中异常低的850 毫欧 Rdson（最大值）与比主要竞争产品低 6~11% 的Rdson （最大值）和低8~13% 的Coss (@400V)相结合，使其成为需要低导通电阻和尺寸受限的 LED 照明应用的理想之选。该系列的关键应用包括 LED 照明、LED 电视和家庭影院音响设备的电源、电源适配器、服务器、工业电源、辅助电源及微型太阳能逆变器。“借助 Fairchild 的全新 800V SuperFET II MOSFET 系列，制造商可提高产品的效率和可靠性。由于优越的开关性能和低导通电阻，此系列的效率明显优于最接近的竞争产品，”Fairchild 的首席技术市场工程师 Wonhwa Lee 说。“新系列采用最新的超级结技术，实现小形状因数及更胜以往的高效率，其耐用的内置二极管在高 dv/dt 条件下可提高工业桥式电路的可靠性。”Fairchild 800V SuperFET II MOSFET 的成员包括：

 (*： 开发中）

800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性，加上出色的效率和热特性，使其成为各种应用的理想之选。同时，多种可选封装为设计师带来巨大的灵活性，在尺寸受限的设计中尤为如此。要了解 Fairchild SuperFET II MOSFET 技术的更多信息，请访问https://info.fairchildsemi.com/FY15M03-PR_CN-800V_SuperFET_II_MOSFET_Family.html