英飞凌发布面高坚固性650V IGBT系列 实现高速开关最高效率
2015年3月2日，英飞凌科技宣布发布高坚固性650V IGBT系列，该系列能够使应用于汽车中的高速开关的运用达到最高效率。该系列TRENCHSTOP™5 AUTO IGBT符合AEC-Q 标准，可降低诸如车载充电、功率因数校正（PFC）、直流/直流和直流/交流转换等电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）应用的功率损耗并提高其可靠性。
全新IGBT系列阻断电压比前代汽车级IGBT高50V，此外，得益于英飞凌TRENCHSTOP™ 5薄晶圆技术，该系列产品达到同类最佳效率。与现有的尖端技术相比，全新IGBT的饱和电压（VCE(sat)）降低了200mV，开关损耗减半，并且栅极电荷降低2.5倍。同时，由于开关损耗和导通损耗双双降低，与替代技术相比，全新IGBT系列在相同的应用中结温和外壳温度更低。这不仅提高了器件的可靠性，而且最大程度降低了冷却需求。通过使用TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT，电动汽车设计师可实现器件效率提升所带来的额外优势，即能够延长续航里程或缩小电池尺寸。对混合动力汽车来说，效率提高意味着降低总燃油消耗和减少二氧化碳排放。另外，TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT器件的卓越性能使得其能进入目前主要采用MOSFET技术的应用，并为设计师提供基于不同半导体芯片技术的广泛选择。TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT系列器件的额定电流为40A或50A，有单一分立式IGBT和可与英飞凌超快“Rapid”硅二极管共同封装的IGBT两种产品。对于这两种产品中的任何一种，英飞凌均能提供H5 HighSpeed和F5 HighSpeed FAST两个系列产品，这取决于优化开关速度和实现最高效率是否为首要设计标准。对用于车载充电器的典型PFC电路来说，以TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT替代当前尖端技术已经表明效率从97.5%提升至97.9%。如果是3.3kW 充电器，这相当于功率损失降低13W。假设充电时间为5小时，这相当于每个充电周期二氧化碳排放减少30g。
