Diodes推出三款小信号MOSFET 丰富超小型分立器件产品系列

近日，Diodes公司为空间要求严格的产品设计新推出的三款小信号MOSFET，微型场效应晶体管能节省40%空间。新推出的产品包括了20V和30V额定值的N通道晶体管，以及30V额定值的P通道器件，产品全都采用了DFN0606微型封装。

DMN2990UFZ (20V nMOS通道)、DMN31D5UFZ (30V nMOS通道) 和 DMP32D9UFZ (30V pMOS通道) 能够提供与大多数大型封装器件相同甚至更优的电气性能。新产品旨在尽量降低导通电阻，并同时维持卓越的开关性能。此外，器件的典型阈值电压低於1V，这种低开启电压非常适合单电池工作模式。全新微型MOSFET非常适合用于高效率功率管理，还可作为通用介面及简单的模拟开关。这些DFN0606封装器件的功耗达到300mW，使电路功率密度得以提升。每个器件的电路板占位面积仅0.6mm x 0.6mm， 比一般采用DFN1006 (SOT883) 封装的MOSFET小40%，是下一代可穿戴科技产品、平板电脑及智能手机的理想之选。