你好!欢迎来到深圳市品慧电子有限公司!
语言
当前位置:首页 >> 技术中心 >> 电路保护 >> 360°全方位解析EOS机理与防护

360°全方位解析EOS机理与防护


品慧电子讯EOS是对所有过度电性应力的总称。EOS是一个非常广义的概念,大家可能不熟悉,但是提到EOS特性,我们不得不说的是容易与之混淆的电力破坏机制——ESD。本文将为大家全方位解析EOS的机理及防护措施。
EOS概念

EOS英文全称 Electrical Over Stress,是对所有的过度电性应力的总称。当EOS超过其最大指定极限后,器件功能会减弱或损坏,同时EOS也是公认的IC器件的头号杀手。由于它可能发生在产品的研发、测试乃至生产、存储、运输的各个环节,所以对厂商的电路设计,测试规范,生产流程以及物流中防护都有严格具体的要求,每年耗费整个半导体行业数十亿美金的资金。更可恨的是,EOS的发生情况复杂,神出鬼没,寻求一个完美的解决方案至今困扰着学术界和工业界。此文旨在分析EOS的成因,特点,破坏力,以及对于芯片厂商和系统设计人员的启示。

EOS是一个非常广的概念,物理上可以看成是一种较长时间的低电压,大电流的能量脉冲(通常电压<100V,电流大于10A,大于1ms的发生时间)。为了更好的说明EOS的特性,可以和另一种常见的,且容易被混淆的电力破坏机制—ESD(静电释放)进行比较。从Figure.1 可清晰看出EOS和ESD的放电特征,而ESD短时间的高电压低电流的特性(通常电压>500V,电流小于10A,纳秒发生时间),可以认定是EOS的一种特例。

360°全方位解析EOS机理与防护
图1:EOS与ESD对比分析
360°全方位解析EOS机理与防护
表1:EOS与ESD的对比12下一页>
  • 第一页:360°全方位解析EOS机理与防护(一);
  • 第二页:360°全方位解析EOS机理与防护(二)

EOS成因很多,主要会出现在上下电瞬态过程,电流倒灌以及过度的电压电流驱动(常说的过载)。通常造成的破坏都是由于器件过热,损坏有三种类型。

360°全方位解析EOS机理与防护
图2:PN节击穿
360°全方位解析EOS机理与防护
图3:金属层熔断
360°全方位解析EOS机理与防护
图4:金属打线熔断
鉴于EOS的成因和特点,成熟的系统厂商通常采用如下的防护方式。建立和规范工作流程,进行常规的交流电源线监控。

防护措施

电源

1、确保交流电源配备了瞬态电流抑制器(滤波器)
2、电源过压保护
3、交流电源稳压器(可选)。
4、电源时序控制器,可调整时序
5、不共用滤波器和稳压器

电源开/关顺序

1、不可“热插拔”
2、正确的插入方向
3、定期检查以确保遵守相关规定

维护

1、定期进行预防性维护。
2、确保接头良好紧固,以防止其带来间歇性故障。

电路板或元件测试

1、确保不进行热切换。进行测试时使用存储范围捕获信号或电源的瞬态电流。
2、确保不出现峰值/低频干扰。
3、确保正确设置测试参数(不会过压)。
4、确保测试硬件中使用了正确的保险丝。

相关阅读:

牛人分享:EOS与ESD的经验之谈
保护LED免受EOS损伤的两大防护方案对比
一款12V车载电源浪涌防护电路设计

<上一页12
  • 第一页:360°全方位解析EOS机理与防护(一);
  • 第二页:360°全方位解析EOS机理与防护(二)

用户评论

发评论送积分,参与就有奖励!

发表评论

评论内容:发表评论不能请不要超过250字;发表评论请自觉遵守互联网相关政策法规。

深圳市品慧电子有限公司