全面揭秘Intel 14nm节点技术,工艺图大曝光
品慧电子讯Intel 14nm工艺的过人之处大家有目共睹,但是和其他的相比又如何呢?日本同行PCWatch近日对Intel新工艺做了一番解析,更加凸显了世界第一芯片巨头的强悍。我们详细了解过Intel 14nm工艺的过人之处,但那基本只是单一的介绍,没有和其他厂商、其他工艺的正面对比。日本同行PCWatch近日也对Intel新工艺做了一番解析,更加凸显了世界第一芯片巨头的强悍。Intel 22nm工艺已经率先使用了3D立体晶体管,14nm上将进化到第二代,其他厂商则会陆续上马类似的FinFET,包括台积电16nm、三星/GlobalFoundries14nm。来看看几个工艺的间距数据:Intel 14nm的栅极间距为70nm,内部互联最小间距为52nm,这两项指标分别比22nm缩小了22%、35%。相比之下,台积电16nm、三星/GF 14nm的栅极间距分别是90nm、78nm,前者只相当于Intel 22nm的水平,后者也略弱一些,而内部互联最小间距则都是64nm,相比于Intel大了23%。这些间距越小,就可以把晶体管做得更小、更密,对于电路集成度、芯片性能的重要性不言而喻。1234下一页>
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Intel 14nm工艺的过人之处Intel曾经自己高调宣扬过,整个世界也都承认,无与伦比的先进制造工艺是这家芯片巨头永远令人眼红的优势。14nm工艺虽然从年初拖到了年底,但到时候仍然是这个地球上最先进的。其他半导体企业纷纷减缓脚步或者合纵连横的同时,Intel仍在坚持独行,仍在引领世界。随着Broadwell-Y CoreM系列初步揭开面纱,Intel也公布了14nm工艺的大量相关资料,介绍了它的发展情况和技术优势。简单地说:1、Intel 14nm工艺已经通过各项验证,并在美国俄勒冈、亚利桑那工厂投入了量产,明年还会加入爱尔兰工厂。2、它使用了第二代Tri-Gate(FinFET)立体晶体管技术,拥有业界领先的晶体管性能、功耗、密度和成本。3、Broadwell家族将首先采用14nm工艺制造,其后陆续扩展到Intel各条处理器产品线。4、Intel 14nm不但自己用,还会为很多客户代工大量产品,从高性能到低功耗均可(已拿下Altera、松下)。事实上,14nm也是迄今为止Intel面临的最艰难的挑战,Intel对此也是很坦诚,并没有遮遮掩掩。根据官方数据,14nm工艺良品率初期低得要命,直到今年第二季度末才达到量产标准,预计2015年第一季度才能追上22nm的水平,后者迄今仍是Intel良品率最高的工艺。<上一页1234下一页>
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另外,晶体管栅极间距、互联间距也分别缩小到了70nm、52nm,进步比例为22%、35%。
鳍片外围覆盖着的(黄色)就是金属栅极。层连最小间距也从80nm来到了52nm(进步比例35%)。SRAM存储单元的面积,上代是0.108平方微米,现在仅为0.0588平方微米,进步比例达46%,几乎缩小了一半。<上一页1234
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