英飞凌射频器件应用于三星Galaxy S5
英飞凌科技股份公司今天宣布全面支持三星Galaxy S5，可提供共计8 种射频器件。该德国半导体制造商在LTE低噪声放大器(LNA)、四频LNA Bank、GPS LNA和SPDT 射频开关等领域是理想的合作伙伴。
“智能手机市场中的创新速度令人惊叹。快速提供更高集成度更小体积的新产品是成功的关键。三星等领先智能手机制造商选择我们为用户提供可靠服务和更多功能，我们为此感到骄傲。”英飞凌科技有限公司副总裁兼射频与防护器件业务部总经理Philipp von Schierstaedt说道。
英飞凌LTE LNA和四频LNA Bank经过专门设计，在采用英飞凌的LTE LNA后，可使智能手机数据传输速率明显提高（49%@10dB输入信噪比），因此能够充分发挥LTE通信标准的潜能。GPS LNA可有效防止手机中其他信号的干扰，确保可靠的导航功能。此外，选用英飞凌SPDT射频开关可将射频信号可靠地发送至指定路径。
S5是三星电子公司旗舰智能手机的最新型号。该款智能手机配备两个内置Wifi天线和一个下载加速器，结合LTE和Wifi数据传输即可实现无与伦比的数据传输速率。
正式发布后的第一个月内，该款基于Android的智能手机即已售出超过1,100万部。
英飞凌为移动设备和蜂窝基础结构提供大量产品组合，包括射频器件、TVS二极管、硅麦克风和功率管理IC。
三星Galaxy S5包含下列英飞凌器件：
LTE LNA（低噪声放大器）
BGA7L1N6
BGA7M1N6
BGA7H1N6
四频LTE LNA Bank
BGM7MLLM4L12
BGM7LLHM4L12
GPS LNA
BGA824N6S
SPDT射频开关
BGS12PL6
BGS12SL6
