富士通半导体推出拥有1Mb内存的全新FRAM器件
品慧电子讯富士通半导体成功开发出拥有1Mb内存 (128K字符X 8位)的全新FRAM产品---MB85RC1MT，是所有富士通半导体I2C串行接口产品中最高内存容量的产品，且即日起即可为客户提供样品。这个产品拥有I2C接口，适用于工厂自动化控制、测验仪器及工业设备。富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，成功开发出拥有1Mb内存 (128K字符X 8位)的全新FRAM产品---MB85RC1MT，是所有富士通半导体I2C串行接口产品中最高内存容量的产品，且即日起即可为客户提供样品。全新MB85RC1MT可保证有一万亿次写入/擦除 (write/erase) 周期，适用于需要经常重复写入数据之应用，例如工厂自动化、测试仪器及工业设备所需之实时数据登录应用。现在富士通半导体同时拥有广泛的I2C与SPI串行接口产品系列，为客户提供最符合他们要求的非挥发性存储器产品。
图1：富士通半导体推出拥有1Mb内存的全新FRAM器件FRAM是一种兼具非挥发性与随机存取功能的存储器，能在没有电源的情况下可储存及高速写入数据。值得注意的是，在众多非挥发性内存技术中，FRAM能保证一万亿次以上的写入/擦除周期。富士通半导体自1999年开始量产FRAM产品以来，已将上述产品特性广泛应用在工厂自动化设备、测试仪器、金融终端机及医疗装置等领域。MB85RC1MT可在摄氏零下40度至85度的温度范围以1.8V至3.3V工作电压运作，可支持3.4MHz 的“高速”操作模式，并可在与传统EEPROM相同的1MHz环境进行读写数据作业。MB85RC1MT保证有一万亿次写入/擦除周期，大幅超越传统EEPROM的写入/擦除周期次数，并可支持I2C接口及其他接口产品的实时数据登录等频繁的重复写入数据作业。此外，对于一些需要使用I2C接口EEPROM应用场合，现在都可以由富士通半导体的新款FRAM产品取而代之，以实现高频率数据输入和高精度数据撷取（如图2），更能够降低数据写入的时功耗（如图3）。
图2：数据写入/擦除周期比较
图3：EEPROM和富士通半导体FRAM产品之数据写入作业功耗比较MB85RC1MT的出现增加了富士通半导体的FRAM产品阵容：I2C 接口（支持4 Kb至1 Mb内存容量）和SPI接口（16 Kb至2 Mb内存容量）（如图4）。这些FRAM产品采用业界标准的8针脚SOP封装，因而可取代EEPROM或序列闪存，并适用于工厂自动化、测试仪器及工业设备等应用，更无须大幅修改电路版的设计。
图4：FRAM产品阵容（序列内存）富士通半导体将持续开发FRAM产品以满足客户对低功耗产品之需求，例如需求日益增加的能量采集应用，其中低工作电压是关键要素。
