具有最低电阻和低总闸极电荷的PowerTrench MOSFET

品慧电子讯快捷半导体公司的40VN信道PowerTrench MOSFET产品，具有最低电阻和低总闸极电荷以降低功率损耗。

汽车动力操控(Power Steering)系统设计工程师需要可提供更高效率和更好功率控制的解决方案。快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)的40VN信道PowerTrench MOSFET产品，具有最低电阻和低总闸极电荷以降低功率损耗，可协助设计者因应这些挑战。

FDB9403 采用快捷半导体的屏蔽闸极技术，改进了电阻并降低了电容器。该组件提供比最接近竞争产品低20%的RDS(ON)值，同时具备低Qg值，可降低功率损耗并最终提高整体效率。FDB9403 MOSFET产品作为基本的电流控制开关，有效控制电力，无任何浪费，因此非常适合于电力操控系统、悬架控制及动力传动管理应用。

在VGS = 10V和ID = 80A时，更低功率损耗的典型值RDS(ON)= 1mΩ，因而实现更高效率；在VGS = 10V和ID = 80A时，典型值Qg(tot) = 164nC，功耗更低，因而实现更高效率；UIS能力；以及符合RoHS及AEC Q101标准。