中科院研制出可提升中国国产IC的竞争力的MOSFET组件

品慧电子讯中科院电子研究所在N型和P型 MOS 电容上取得了 EOT≦8.5 、漏电流降低3个数量级以及金属闸主动功函数距硅晶能隙距离≦0.2eV的成果，成功研发出组件性能进一步提升的22nm MOSFET 组件。

中国科学院微电子研究所(IMECAS)宣布在22奈米 CMOS制程上取得进展，成功制造出高K金属闸 MOSFET 。中科院指出，中国本土设计与制造的22nm组件展现出更高性能与低功耗。

根据中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心表示，这项研发项目并结合来自北京大学、清华大学、复旦大学以及中科院微系统所的研究人员们经过3年的共同努力，于近期取得了突破性进展。

针对22nm CMOS技术节点的挑战，该产学研发团队在N型和P型 MOS 电容上取得了 EOT≦8.5 、漏电流降低3个数量级以及金属闸主动功函数距硅晶能隙距离≦0.2eV的成果，成功研发出组件性能进一步提升的22nm MOSFET 组件。

中科院微电子研究所与微系统所、北京大学、清华大学、复旦大学的开发团队们已完成了1369项专利申请(国际专利申请424项)，其中高K/金属闸极制程及相关专利、金属堆栈结构及其它专利已开始在中国制造厂导入开发。

中科院指出，导入中国自行开发的22nm IC技术，将可为中国节省进口国外芯片或制程技术的庞大费用，并提升中国国产IC的竞争力。

22/20-nm先进制程技术才刚导入商用领域，该技术之以受到重视要在于它能为智能型手机与平板计算机降低功耗，从而实现更长的电池寿命。然而，中国在22nm晶体管技术开发道路上约落后西方2-4年。英特尔(Intel)先前已量产22nm FinFET 制程组件，而台积电(TSMC)也预计将在2013年量产20nm 平面 CMOS 制程。

多年来，在 CoCom 输出条款以及 Wassennaar 协议的限制下，中国先进电子制造技术领域一直因为无法取得外来高科技产品与技术而使其发展受阻。然而，近年来，中国已透过一系列的外来制技术授权以及自我教育而逐渐迎头赶上。中国本土的晶圆代工厂中芯国际(SMIC)目前已有能力提供商用40nm CMOS 制程。

根据中国新华社的报导，中国展开先进22nm晶体管制造属于2009年国家重大科技专项的一部份。