晶体管NDT3055L中文资料,参数,PDF及价格分析
品牌:FAIRCHILD封装:SOT223

FET型:MOSFETN通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@Id,Vgs@25°C:100毫欧@4A,10V
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流-连续漏极(Id)@25°C:4A
Id时的Vgs(th)(最大):2V@250μA
闸电荷(Qg)@Vgs:20nC@10V
在Vds时的输入电容(Ciss):345pF@25V
功率-最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
包装:剪切带(CT)