IRF1010N最新报价及其特点
厂商：IR
特点：
1.先进的工艺技术
2.超低导通电阻
3.动态的dv / dt额定值
4.175°C的工作温度
5.快速切换
6.全雪崩额定
绝对最大额定值：
（ID@TC= 25°C）连续漏电流，VGS@ 10V：85A
（ID@TC= 100°C）连续漏电流，VGS@ 10V：60A
脉冲漏极电流：290A
（PD@TC= 25°C）功率耗散：180W
电源电压：±20V
雪崩电流：43A
重复雪崩能量：18mJ
峰值二极管恢复的dv / dt：3.6V/ns
工作结点和存储温度范围：-55~175°C
描述：
国际整流器中先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现每硅片面积的极低导通电阻。好处是，结合了开关速度快和坚固耐用的设备设计的HEXFET功率MOSFET闻名了，同时给设计者提供了一个非常有效的能在各种广泛应用中使用的可靠设备。
普遍首选的TO - 220封装在大约50瓦的功耗水平的商业—工业应用。低热阻和TO - 220包装成本低，有助于整个行业的广泛接受。
IRF1010N最近报价是2元-3元之间，质量以原装和散新为主，拆机的还要稍微便宜一点，价格在2元以下。
