半导体FQP12N60C价格行情

基本参数：

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET-单
系列：QFET?
FET型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET特点：标准型
开态Rds（最大）@Id,Vgs@25°C：650毫欧@6A,10V
漏极至源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)@25°C：12A

Id时的Vgs(th)（最大）：4V@250μA
闸电荷(Qg)@Vgs：63nC@10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：2290pF@25V
功率-最大：225W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3(直引线)
包装：管件

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