FDG3N中文资料,参数,PDF及价格分析
FDG3N参数
·类别:分离式半导体产品
·家庭:MOSFET,GaNFET -单
·FET型:MOSFET N通道,金属氧化物
·FET特点:逻辑电平门
·开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:450毫欧@ 500mA, 4.5V
·漏极至源极电压(Vdss):25V
·电流-连续漏极(Id) @ 25° C:950mA
·Id时的Vgs(th)(最大):1.5V @ 250μA
·闸电荷(Qg) @ Vgs:2.3nC @ 4.5V
·在Vds时的输入电容(Ciss):50pF @ 10V
·功率-最大:480mW
·安装类型:表面贴装
·封装/外壳:SC-70-6,SC-88,SOT-363
·包装:带卷(TR)
FDG3N在7月下旬开始网页关注度有所提升,网站上不少商家报价,统计该型号的报价数据,8月份,FAIRCHILD品牌的该型号商家报价区间在1.22-1.45元/pcs之间,采购量大的话,价格还有一定下降区间,该型号的市场报价在近两个月价格波动不大,基本持平。