你好!欢迎来到深圳市品慧电子有限公司!
语言
当前位置:首页 >> 集成电路 >> MICROCHIP/微芯 >> 4N35-300E特征及价格分析

4N35-300E特征及价格分析


1、4N35-300E图片

2、4N35-300E参数

·4N35-300E,采用PDIP SMD封装方式。

·制造商: Avago Technologies
·产品种类:晶体管输出光电耦合器
·配置: 1
·输入类型: DC
·最大集电极/发射极电压: 30 V
·最大集电极/发射极饱和电压: 300 mV
·绝缘电压: 3550 Vrms
·最大正向二极管电压: 1.5 V
·最大集电极电流: 100 mA
·最大功率耗散: 350 mW

·最大工作温度: + 100 C
·最小工作温度: - 55 C
·封装/箱体: PDIP SMD
·封装: Tube
·最大下降时间: 10 us
·最大输入二极管电流: 60 mA
·最大反向二极管电压: 6 V
·最大上升时间: 10 us
·输出设备: Transistor With Base
·输出类型: DC

3、4N35-300E价格分析

4N35-300E型号在之前的几个月里网页关注度一直较为偏低,网页报价信息很少。不少商家表示,该型号原装备货不足或存在缺货现象,目前该型号AVAGO品牌的最新市场报价集中在0.60-0.75元/pcs之间,较上个月有小幅上涨。

相关文章

    用户评论

    发评论送积分,参与就有奖励!

    发表评论

    评论内容:发表评论不能请不要超过250字;发表评论请自觉遵守互联网相关政策法规。

    深圳市品慧电子有限公司