IRF640中文资料,参数,PDF及价格分析

特点：

晶体管极性:N沟道
漏极电流,Id最大值:18A
电压,Vds最大:200V
开态电阻,Rds(on):0.15ohm
电压@Rds测量:10V
电压,Vgs最高:4V
功耗:150W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率,Pd:150W

封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
热阻,结至外壳A:1°C/W
电压Vgs@Rdson测量:10V
电压,Vds典型值:200V
电流,Id连续:18A
电流,Idm脉冲:72A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压,Vgsth典型值:4V
阈值电压,Vgsth最高:4V