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IRF630

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基本参数：

IRF630，采用TO-220封装方式。

晶体管极性:N
漏极电流, Id最大值:9A
电压, Vds最大:200V
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
电压@ Rds测量:10V
电压, Vgs最高:3V
功耗:100W
封装类型:TO-220
针脚数:3
功率, Pd:100W
封装类型:TO-220
封装类型,替代:SOT-78B
引脚节距:2.54mm
时间, trr典型值:170ns
晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET
温度@电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压Vgs @ Rds on测量:10V
电压, Vds典型值:200V
电容值, Ciss典型值:540pF
电流, Id连续:9A
电流, Idm脉冲:36A
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.4ohm
针脚格式: 1G 2+插口D 3S
针脚配置:a
阈值电压, Vgs th典型值:3V
阈值电压, Vgs th最低:2V
阈值电压, Vgs th最高:4V

近期货源比较缺货所报参考价区间为1.92元/ pcs ---2.50元/pcs，量少零售参考价格为2.50元/pcs，1000pcs以上参考价格为1.92元/pcs。