SI2301最新价格分析
基本参数：
晶体管类型：P沟道MOSFET
最大功耗PD：1.25W
栅极门限电压VGS：2.5V（典型值）
漏源电压VDS：－20V（极限值）
漏极电流ID：－2.3A
通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）
栅极漏电流IGSS：±100nA
结温:-55℃to+150℃
封装：SOT-23(TO-236)
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